时间：2025/6/18 23:48:57
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PBSS4021PZ 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关特性和低导通电阻的电路中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，能够在高频开关应用中提供卓越的性能表现。
该芯片通常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池保护以及电机驱动等场景。其出色的热稳定性和电气特性使其成为众多设计工程师的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ
栅极电荷(Qg)：20nC
总电容(Ciss)：1050pF
工作温度范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-252(DPAK)
PBSS4021PZ 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低传导损耗，提高效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷，适用于高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具有良好的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备需求。
5. 提供高可靠性与长寿命，在极端温度范围内依然能保持稳定的性能表现。
6. 小型化封装设计，节省 PCB 空间的同时保证散热性能。
PBSS4021PZ 的典型应用场景包括：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
2. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
3. 电机驱动器中的功率级开关元件。
4. LED 照明系统的恒流控制模块。
5. 工业自动化设备中的电源管理和信号切换部分。
6. 汽车电子领域中的各种功率转换与驱动功能实现。
由于其高效的性能和广泛的适应性，这款 MOSFET 在消费类电子产品、工业设备以及汽车电子系统中都得到了广泛应用。
PBS4021PZ, IRLR7843, AO4402
