时间：2025/7/11 10:46:03
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PBSS302NZ 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，广泛用于电源管理、负载开关和电机控制等领域。该器件采用小型化封装设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够显著提升效率并降低功耗。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻：15mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极阈值电压：1.2V~2.4V
总功耗：870mW
工作结温范围：-55°C~150°C
PBSS302NZ 具有以下特点：
1. 低导通电阻可有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 栅极驱动电压低，适合逻辑电平直接驱动。
3. 快速开关能力有助于降低开关损耗。
4. 小型化 SOT-23 封装节省 PCB 空间。
5. 高可靠性设计确保在极端温度下的稳定运行。
该 MOSFET 常用于以下应用场景：
1. 开关电源中的同步整流或负载开关。
2. 电池供电设备中的电源管理。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 移动设备和其他便携式电子产品的高效切换方案。
5. LED 驱动器和背光控制模块。
AO3400A
FDC6570N
IRLML6402
