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PBSS302ND,115 发布时间 时间:2025/9/14 8:11:44 查看 阅读:10

PBSS302ND,115 是由Nexperia(安世半导体)生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列,属于NPN晶体管类型。该器件采用小型双列直插式封装(TSSOP),适用于各种高性能电子设备。这款晶体管主要设计用于需要高电流放大能力、快速开关特性和低饱和电压的电路应用。PBSS302ND,115 以其高可靠性和紧凑的设计广泛用于数字电路、功率管理和信号处理领域。

参数

晶体管类型:NPN
  封装类型:TSSOP
  最大集电极-发射极电压(Vceo):40V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功耗(Ptot):300mW
  增益带宽积(ft):100MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据工作条件)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-65°C至150°C
  最大饱和电压(VCE(sat)):0.2V(典型值)

特性

PBSS302ND,115 具备一系列出色的特性,使其在多种应用中表现出色。首先,其低饱和电压(VCE(sat))确保了在开关应用中的高效能,同时减少了功耗。其次,该晶体管具有较高的电流增益(hFE),可在不同工作条件下提供稳定的放大性能。此外,其高截止频率(ft)使其适用于高频开关和放大电路。TSSOP封装设计紧凑,适合空间受限的应用场景。晶体管的热稳定性和抗静电能力(ESD)也达到了工业标准,确保在复杂工作环境下的可靠性。最后,其宽工作温度范围 (-55°C至150°C) 使得PBSS302ND,115适用于工业级和汽车电子系统等要求严苛的场合。
  在制造工艺上,该器件采用了先进的硅外延平面技术,提供了良好的参数一致性,减少了器件间的差异,这对需要多晶体管并联或匹配的应用尤为重要。同时,该晶体管符合RoHS环保标准,不含铅和有害物质,适合现代环保要求。

应用

PBSS302ND,115 主要应用于需要中等功率放大和高速开关的电路中。常见的应用包括:数字电路中的逻辑开关、LED驱动电路、传感器接口电路、通信设备中的信号放大模块、电源管理电路、汽车电子控制系统(如ECU模块中的信号处理)、消费电子产品中的控制电路、工业自动化设备的输入/输出接口等。此外,该晶体管也可用于音频放大器的前置级放大、数据采集系统的开关控制、以及各类嵌入式系统的逻辑控制部分。其优异的开关特性和高增益表现使其成为许多设计工程师的首选之一。
  在汽车电子方面,PBSS302ND,115 可用于车载娱乐系统、车身控制模块(BCM)、发动机控制单元(ECU)中的信号处理电路。在消费电子方面,它常用于遥控器、智能手表、便携式游戏设备和智能家电等设备中的控制与放大电路。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, BC547, PBSS4021N, PBSS4022N

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PBSS302ND,115参数

  • 产品培训模块BISS Transistors
  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)450mV @ 600mA,6A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)250 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)