时间：2025/9/14 15:41:06
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PBSS301NX,115 是由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、低导通电阻和高速开关应用而设计，适用于多种电源管理和功率控制场景。PBSS301NX,115 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了优异的热稳定性和可靠性。该器件封装在小型化的 SOT223（TO-261）封装中，便于在高密度 PCB 设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5.8A（在Tamb=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大值 33mΩ（在Vgs=10V）
漏极-源极击穿电压：30V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOT223（TO-261）
功耗（Ptot）：1.2W
栅极电荷（Qg）：11nC（典型值）
漏极-源极电容（Coss）：430pF（典型值）
PBSS301NX,115 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其低导通电阻使得在高电流应用中也能保持较低的温升，从而提高系统的可靠性和寿命。
该器件还具有快速开关特性，能够实现高效的高频操作，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。其栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动该 MOSFET 所需的能量较少，有助于降低驱动电路的复杂性和成本。
PBSS301NX,115 采用 SOT223 封装，具有良好的热性能，能够有效散热，适用于表面贴装技术（SMT）的自动化装配流程。该封装还提供了良好的机械稳定性和抗热冲击能力。
此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性和过温保护能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境条件下的应用。
PBSS301NX,115 主要用于电源管理领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动和功率放大器等。由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的便携式设备、工业控制系统和汽车电子系统。
在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车身控制模块、电动助力转向系统、车载充电器和 LED 照明驱动电路。其良好的热性能和小型封装使其成为汽车电子中空间受限应用的理想选择。
在工业自动化和控制系统中，PBSS301NX,115 可用于继电器驱动、传感器控制、PLC 输入/输出模块以及各种电源管理电路。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在工业环境中稳定运行。
IPD180P03P4-03, PMV48XP, FDS4410A, AO4406, Si4410BDY
