时间：2025/9/14 4:02:06
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PBSS301ND,115 是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用TSON10封装。该器件适用于需要高效功率管理和高开关速度的应用，如电源管理、负载开关、DC-DC转换器等。PBSS301ND,115具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流容量和优异的热性能，适合在高要求的工业和汽车应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8.7A
导通电阻（RDS(on)）：50mΩ（最大）@VGS=4.5V
功率耗散（Ptot）：2.6W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSON10
PBSS301ND,115 是一款高性能的N沟道MOSFET，具备多项优越的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作条件下较低的功率损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。该器件的高栅极电压容限（±20V）增强了其在高压瞬态条件下的可靠性，降低了栅极击穿的风险。
此外，PBSS301ND,115 采用TSON10封装，具有较小的封装尺寸和优良的热管理能力，使其适用于空间受限的高密度PCB设计。其封装材料符合RoHS标准，适合环保要求较高的应用场景。
该MOSFET在开关性能方面表现出色，具有快速的开关速度和低栅极电荷（Qg），适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路。同时，其优异的热稳定性使其能够在高温环境下稳定运行，确保长时间工作的可靠性。
总体而言，PBSS301ND,115 是一款适用于多种功率管理应用的高性能MOSFET，具备高效、可靠和环保的特点，适合用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中。
PBSS301ND,115 适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下应用：电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动、工业自动化设备和汽车电子控制系统。其优异的性能使其在高效率和高可靠性要求的应用中表现出色。
IPD90P03P4-03, NVMFD5C434NLTAG, Si2302DS, AO3400A
