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PBLS2022D,115 发布时间 时间:2025/9/14 2:33:09 查看 阅读:10

PBLS2022D,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的双通道、双极性晶体管(BJT)阵列。该器件包含两个PNP晶体管,采用SOT23(SC-59)封装,适用于需要节省空间的通用逻辑和开关应用。由于其封装小巧、性能稳定,这款晶体管常用于消费电子、通信设备和工业控制电路中。

参数

晶体管类型:PNP双极性晶体管(双路)
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vceo):30 V
  最大集电极-基极电压(Vcbo):30 V
  最大基极电流(Ib):5 mA
  功耗(Ptot):300 mW
  增益带宽积(fT):100 MHz
  电流增益(hFE):110(最小值)至800(最大值)
  封装类型:SOT23(SC-59)

特性

PBLS2022D,115 采用双晶体管设计,内置两个独立的PNP晶体管,共享同一封装以节省PCB空间。
  其高电流增益(hFE)范围确保了优异的信号放大能力,适用于低噪声前置放大器等场景。
  器件的SOT23封装形式具有良好的热稳定性和机械强度,适合高密度贴片组装。
  此外,该器件具有良好的频率响应特性,支持高达100 MHz的高频应用,适用于射频信号处理和高速开关电路。
  由于其低饱和压降和快速开关特性,它在数字逻辑电路、驱动器和缓冲电路中表现出色。
  该晶体管还具备较高的ESD抗扰度,增强了在复杂电磁环境中的可靠性。
  器件符合RoHS标准,适用于环保和无铅工艺要求的电子产品制造。
  其低功耗设计和高集成度使其成为便携式电子设备和电池供电系统的理想选择。

应用

PBLS2022D,115 常用于各类电子设备中,特别是在需要双晶体管配置和空间受限的应用中表现优异。
  例如,在消费类电子产品中,它被广泛用于音频放大器的前置放大级、信号切换电路以及LED驱动控制。
  在通信设备中,该器件可作为射频信号放大器或调制解调器中的关键元件。
  工业自动化系统中,PBLS2022D,115 可用于继电器驱动、逻辑电平转换以及传感器信号调理电路。
  此外,它还适用于低功耗微控制器系统中的I/O扩展和接口控制。
  在汽车电子中,该晶体管可用于仪表盘指示灯控制、车载通信模块以及车身电子控制单元(ECU)。
  其高稳定性和低噪声特性也使其成为精密测量仪器和测试设备中的理想选择。
  此外,该器件还可用于各种电源管理电路,如DC-DC转换器的开关控制和负载调节电路。
  在嵌入式系统和物联网设备中,该双晶体管结构有助于简化电路设计并提高系统集成度。

替代型号

PBLS2022D,115 的替代型号包括 BC807-25 和 BC847B,它们具有类似的电气特性,但在封装或性能上略有差异,使用时需根据具体电路要求进行调整。

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PBLS2022D,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 PNP 预偏压式,1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA,1.8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V,20V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)4.7k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 10mA,5V / 200 @ 1A,2V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA / 210mV @ 100mA,1.8A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA,100nA
  • 频率 - 转换130MHz
  • 功率 - 最大760mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934061574115