时间：2025/5/22 10:54:38
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PBL3770AN 是一款 NPN 型高频、大电流晶体管，广泛应用于射频功率放大器、无线通信设备和工业电子领域。该晶体管具有较高的增益带宽乘积（fT），能够在高频条件下提供优异的性能表现。其封装形式通常为 TO-252 或类似的表面贴装封装，便于在现代电路板上的使用。
集电极-发射极电压：45V
集电极电流：8A
直流电流增益（hFE）：最小值 10，典型值 40
特征频率（fT）：900MHz
热阻（结到环境）：120°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PBL3770AN 的主要特性包括高增益带宽乘积，使其适用于高频应用；同时具备良好的线性度和低噪声特性。它还拥有较高的电流承载能力，可以满足大功率输出需求。
此外，该器件采用先进的制造工艺，在高频段表现出较低的失真和优秀的稳定性，非常适合要求苛刻的射频功率放大场景。
PBL3770AN 广泛用于射频功率放大器设计中，如无线通信基站、业余无线电设备和测试测量仪器等。它可以作为驱动级或末级功率放大器中的关键元件。此外，它也适用于工业、科学和医疗领域的射频电源及电子控制系统中。
PBL3769AN, PBL3771AN
