时间：2025/9/14 19:35:41
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PBHV9215Z,115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压、高功率应用而设计，适用于需要高效能、高可靠性的工业和汽车电子系统。PBHV9215Z,115 采用先进的高压工艺制造，具备优异的导通电阻和热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其主要功能是作为功率开关，用于控制电流的导通和关断。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：150 V
栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id：2.5 A
导通电阻 Rds(on)：最大 3.5 Ω（在 Vgs = 10 V 时）
功耗（Ptot）：2.5 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-223
PBHV9215Z,115 具备一系列高性能特性，使其在高电压和高温环境下表现出色。首先，其高达 150V 的漏源电压能力使其适用于高电压应用，如电源转换器、电机驱动和照明系统。该器件的导通电阻在 10V 栅极电压下最大为 3.5Ω，确保在导通状态下的功耗较低，从而提高整体系统的能效。
该 MOSFET 支持 ±20V 的栅源电压，具有良好的抗过压能力，可防止在开关过程中因电压尖峰而导致的损坏。其连续漏极电流能力为 2.5A，适用于中等功率级别的应用。此外，PBHV9215Z,115 采用 TO-223 封装，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。
该器件的热稳定性较强，能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内正常工作，适用于严苛的工业和汽车应用环境。其高可靠性和耐用性使其成为许多关键系统的首选功率开关元件。
PBHV9215Z,115 广泛应用于多个领域，包括工业自动化、电源管理、照明系统以及汽车电子。在电源转换器中，该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换、AC-DC 整流和同步整流电路，提高能源利用效率。在电机驱动应用中，它可以作为功率开关，控制电机的启停和转速。此外，该器件还可用于 LED 照明系统的恒流驱动电路，确保光源稳定运行。
在汽车电子系统中，PBHV9215Z,115 可用于车身控制模块、车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）等。其高电压耐受能力和高可靠性使其在汽车复杂的电气环境中表现优异。同时，该器件也适用于智能电表、工业传感器和继电器驱动等应用。
IPB120N15N3 G
STP150N15T0F
FDPF150N15A
