时间：2025/9/14 4:49:16
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PBHV9050ZF是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的高压N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为需要高电压和高效率的应用设计，具备出色的热稳定性和耐用性，适用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.75Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
功率耗散（PD）：60W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220AB
PBHV9050ZF具备出色的高压耐受能力和低导通电阻，能够在高温环境下稳定工作。其采用先进的高压技术，提供更高的能效和可靠性。此外，该器件内置了过热和过电流保护功能，可有效防止因异常工况导致的损坏，提高了整体系统的稳定性。
在制造工艺方面，PBHV9050ZF采用高密度单元设计，使器件在保持较小体积的同时，实现更高的电流承载能力。其封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计需求。
该MOSFET还具备快速开关特性，能够减少开关损耗，提高电源转换效率。适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制电路等应用场景。其优异的动态性能使其成为工业自动化、电动汽车和智能电网系统中的理想选择。
PBHV9050ZF广泛应用于多个高电压和高功率领域，包括但不限于：工业电源、开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、照明系统、电池管理系统（BMS）以及汽车电子控制系统。由于其高可靠性和良好的热性能，该器件也常用于需要长时间连续运行的设备中。
IXFH10N90Q, FCP90N30L, STF9N90DM2
