时间：2025/9/14 9:36:45
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PBHV9040X,115是一款由恩智浦半导体公司制造的高电压、低RDS(on)的P沟道增强型MOSFET。这款MOSFET设计用于需要高效、可靠功率管理的应用，例如汽车电子系统、工业控制设备以及高功率负载开关。PBHV9040X采用先进的高压MOSFET技术，提供了优异的导通性能和热稳定性，同时在高电压环境下仍能保持良好的效率和可靠性。该器件封装为TSSOP，适合高密度PCB布局应用。
类型：P沟道增强型MOSFET
漏极-源极击穿电压(BVDSS)：-100V
连续漏极电流(ID)：-2A
导通电阻(RDS(on))：最大1.25Ω @ VGS = -10V
栅极阈值电压(VGS(th))：-1.5V至-3.0V
功耗(Ptot)：1.4W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TSSOP
PBHV9040X,115具备多种优异特性，使其适用于各种高电压和高可靠性应用。其高击穿电压能力(-100V)确保了在高压系统中稳定运行。该MOSFET的低导通电阻（最大1.25Ω）可以有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，其TSSOP封装形式不仅节省空间，还支持高密度PCB设计，适用于紧凑型电子设备。
该器件的栅极阈值电压范围在-1.5V至-3.0V之间，这意味着它可以在较宽的输入范围内实现稳定的导通控制，适用于多种驱动电路。PBHV9040X还具有良好的热稳定性，能够在高功耗环境下保持可靠运行，减少热失效的风险。此外，该MOSFET具备高抗静电能力和过载保护特性，增强了在恶劣工作环境下的耐用性。
PBHV9040X,115广泛应用于多个领域，包括汽车电子、工业自动化、电源管理和负载开关系统。在汽车电子中，该器件可用于车身控制模块、电动机驱动器和电源分配系统，提供高效的功率切换和保护功能。在工业控制设备中，它可以用于PLC模块、继电器替代和直流电源管理。此外，该MOSFET还可用于高电压便携式设备的电源管理电路，如智能电表、测试仪器和嵌入式控制系统。其高可靠性和紧凑封装使其成为许多高电压低电流应用场景的理想选择。
SI7461DP-T1-GE3, FDC640P, IRF9Z24NPBF, STP12PF06
