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PBHV9040T_09 发布时间 时间:2025/9/14 17:03:20 查看 阅读:7

PBHV9040T是恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的一款高性能、高压、低RDS(on)、N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的高压技术,具有优良的导通电阻和开关特性,适用于各种高电压、中等功率的电源管理和电机控制应用。PBHV9040T封装为SOT-404(TO-252),便于安装在标准PCB上,同时具备良好的散热性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):900V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):1.5A(@Tc=25℃)
  导通电阻(RDS(on)):2.5Ω(max,@VGS=10V)
  功率耗散(PD):30W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:SOT-404(DPAK)

特性

PBHV9040T是一款适用于高电压应用的功率MOSFET,具备以下显著特性:其最大漏源电压为900V,能够在高压环境下稳定工作,适合用于高输入电压的电源转换器、电机驱动和照明控制系统。该器件的导通电阻(RDS(on))最大为2.5Ω,在VGS=10V时表现出较低的导通损耗,从而提高了整体系统效率。
  此外,PBHV9040T采用了恩智浦先进的高压工艺技术,确保了良好的开关性能和热稳定性,有助于降低开关损耗并提升器件的长期可靠性。其SOT-404封装形式具有良好的热管理能力,适用于需要较高散热能力的应用场景。
  该MOSFET还具备出色的抗雪崩能力,能够在异常工作条件下提供额外的保护,提高系统的鲁棒性。此外,其栅极驱动电压范围宽(±20V),兼容标准MOSFET驱动器,便于设计和集成到各种功率电路中。
  综上所述,PBHV9040T是一款适用于高电压、中等功率应用的高性能功率MOSFET,结合了低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能,是各类工业电源、LED照明驱动器、电机控制及家用电器中理想的功率开关器件。

应用

PBHV9040T适用于多种高电压和中等功率的应用场景,包括但不限于:交流-直流(AC-DC)电源转换器、LED照明驱动器、电机控制电路、智能家电中的功率控制模块、工业自动化设备中的电源管理系统以及高压直流(HVDC)配电系统。其优异的导通性能和高电压承受能力使其成为高压电源变换器和功率因数校正(PFC)电路中的理想选择。此外,该器件还可用于需要高可靠性和抗干扰能力的恶劣环境中,如变频器、伺服电机驱动器和智能电网设备。

替代型号

STW9NK90Z、FQA1N90C、PBHV9040T_111

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