时间：2025/7/16 14:56:39
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PBFR8018JN是一款由Phoenix Contact（菲尼克斯电气）推出的高压MOSFET器件，广泛应用于开关电源、电机驱动和工业自动化等场景。该型号属于R系列功率MOSFET，具有高击穿电压、低导通电阻以及优异的热性能表现。其设计特别适合在需要高效能和可靠性的应用中使用。
型号：PBFR8018JN
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-247
漏源极电压(Vds)：800V
连续漏极电流(Id)：18A
栅极电荷(Qg)：56nC
导通电阻(Rds(on))：0.19Ω
功耗(Ptot)：220W
工作温度范围(Tj)：-55°C至+175°C
PBFR8018JN的主要特点是其能够在高电压条件下提供稳定的性能，并具备较低的导通电阻以减少功率损耗。
1. 高击穿电压支持高达800V的应用环境，适合于工业电力电子设备。
2. 超低导通电阻为0.19Ω，可显著降低传导过程中的能量损失。
3. 栅极电荷较小(56nC)，有助于提高开关效率并降低开关损耗。
4. TO-247封装形式提供了优秀的散热能力，适用于大功率场合。
5. 工作温度范围宽广(-55°C至+175°C)，适应极端环境下的运行需求。
6. 提供了可靠的短路保护能力，增强系统安全性。
PBFR8018JN主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)的设计，包括AC-DC转换器和DC-DC变换器。
2. 电机驱动控制，特别是对于需要高电压操作的无刷直流电机(BLDC)。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 各种工业自动化设备中的功率控制电路。
5. 高压负载切换和保护电路。
6. UPS不间断电源系统中的关键功率元件。
PBFR8020JN
PBFH8018JN
