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PB875-08900 发布时间 时间:2025/5/12 21:44:53 查看 阅读:21

PB875-08900是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。其封装形式通常为TO-220,适合于大电流和高电压的工作环境。
  这种MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的电子设备中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关速度:超高速
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

PB875-08900的主要特性包括低导通电阻以减少功率损耗,提高系统效率;快速开关能力有助于降低开关损耗;具备较高的雪崩耐量,增强了器件在异常条件下的可靠性;同时提供过流保护功能,确保长时间稳定运行。
  此外,该器件还拥有优良的热特性和较小的寄生电感,从而进一步提升其在高频应用中的表现。其坚固的设计和优化的电气性能使其成为众多工业和消费类电子产品中的理想选择。

应用

该功率MOSFET适用于各种电力电子应用领域,如开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、电机控制与驱动、LED照明驱动电路、光伏逆变器以及汽车电子系统等。由于其强大的电流承载能力和高效的能量转换效率,它特别适合用于要求严格的高功率密度设计场景。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP5500

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