PADP-14V-1-K 时间：2025/10/11 5:34:37 阅读：17

PADP-14V-1-K是一款由Analog Devices（亚德诺半导体）推出的高性能、低功耗的集成式光电二极管与跨阻放大器（TIA）组合的模拟前端模块，专为高速光信号检测和转换应用而设计。该器件将高灵敏度的PIN光电二极管与一个优化匹配的跨阻放大器集成在单一封装中，实现了优异的信噪比和宽带宽性能。其典型响应波长范围覆盖可见光至近红外区域（通常在800 nm至1700 nm之间），特别适用于光纤通信、激光测距、光时域反射仪（OTDR）、工业传感以及医疗诊断设备等对光信号精度和响应速度要求较高的场景。该模块采用紧凑型表面贴装封装，具备良好的热稳定性和电磁屏蔽特性，能够在宽温度范围内保持稳定的性能输出。此外，PADP-14V-1-K经过精密匹配和出厂校准，减少了外部元件需求，简化了系统设计并提高了整体可靠性。其低输入偏置电流和高增益带宽积使其在微弱光信号检测中表现出色，能够有效提升系统的动态范围和检测灵敏度。由于集成了关键的模拟前端功能，该器件显著降低了高频布局布线带来的寄生效应影响，提升了高频响应的一致性与稳定性。

参数

型号：PADP-14V-1-K
　　制造商：Analog Devices
　　工作电压：±5 V 或 +5 V 单电源
　　带宽：典型值 14 MHz
　　跨阻增益：约 1.4 × 10^6 V/A
　　响应波长范围：800 nm 至 1700 nm
　　光电二极管类型：InGaAs PIN 光电二极管
　　输出类型：单端电压输出
　　输入光功率范围：-60 dBm 至 -10 dBm（典型）
　　噪声等效功率 (NEP)：典型值 12 pW/√Hz @ 1550 nm
　　上升时间：约 25 ns
　　封装类型：表面贴装，陶瓷DIP或类似密封封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

PADP-14V-1-K的核心优势在于其高度集成化的光电检测架构，它将高性能InGaAs PIN光电二极管与专用跨阻放大器（TIA）集成于同一封装内，从而最大限度地减少了传统分立方案中因PCB走线引起的寄生电容和电感问题，显著提升了高频响应的一致性和稳定性。这种集成设计不仅优化了信号路径，还大幅降低了系统设计复杂度，使工程师无需进行复杂的阻抗匹配和高频补偿调试。该器件的跨阻放大器具有高达14 MHz的带宽和约1.4×10? V/A的跨阻增益，能够在微弱光信号条件下实现高增益、低噪声的电流-电压转换，确保即使在极低光照强度下也能获得清晰可辨的输出信号。
　　其InGaAs光电二极管部分针对近红外波段（特别是1310 nm和1550 nm通信窗口）进行了优化，具备高量子效率和低暗电流特性，使得整体器件在长距离光纤监测和高速数据接收应用中表现卓越。此外，该模块的噪声等效功率（NEP）低至12 pW/√Hz，表明其具备极高的探测灵敏度，适合用于需要极高信噪比的应用如光时域反射仪（OTDR）和分布式光纤传感系统。
　　PADP-14V-1-K支持双电源（±5 V）或单电源（+5 V）供电模式，增强了其在不同系统架构中的兼容性。内部电路设计注重稳定性与抗干扰能力，配合陶瓷密封封装，提供了出色的热稳定性和长期可靠性，可在严苛环境条件下持续运行。同时，该器件的输出为缓冲电压信号，便于直接连接后续ADC或比较器电路，进一步简化信号链设计。总体而言，PADP-14V-1-K是面向中高速光电信号检测领域的理想选择，兼顾性能、集成度与易用性。

应用

PADP-14V-1-K广泛应用于多种需要高灵敏度光信号检测的技术领域。在光纤通信系统中，常用于短程至中程光接收模块，特别是在千兆以太网、EPON/GPON等无源光网络中作为光探测单元的核心组件。由于其对1310 nm和1550 nm波长具有优异响应，因此非常适合用于光线路终端（OLT）和光网络单元（ONU）中的光信号解调。
　　在测试与测量仪器方面，该器件被广泛集成于光时域反射仪（OTDR）中，用于检测光纤链路中的断点、损耗和反射事件。其快速响应时间和高动态范围使其能够精确捕捉微弱背向散射信号，提升故障定位精度。
　　此外，在工业自动化和激光雷达（LiDAR）系统中，PADP-14V-1-K可用于飞行时间（ToF）测距、物体检测和距离监控，尤其是在低光强环境下仍能保持稳定输出。
　　医疗设备领域也有所应用，例如在光学相干断层扫描（OCT）或血液分析仪中作为光信号采集前端，帮助实现高分辨率成像与精准测量。
　　科研实验中，该模块常用于弱光探测实验、荧光检测、拉曼光谱分析等需要高信噪比光电转换的场合。其紧凑尺寸和高可靠性也使其适用于便携式或嵌入式光传感设备的设计。