时间：2025/8/5 18:39:19
阅读：12
PAA140PLTR 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率和高频应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的热稳定性，适用于工业电源、DC-DC 转换器、电机控制以及电池管理系统等场景。PAA140PLTR 采用 TO-247 封装形式，便于安装和散热管理，适用于需要高可靠性和高性能的电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：150V
最大漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：@10V Vgs 下最大 14mΩ
栅极电荷（Qg）：约 150nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
PAA140PLTR 具备多项高性能特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率，特别适用于高电流应用。该器件具备高耐压能力（150V），可在高压环境下稳定运行，适用于多种功率转换系统。
其次，PAA140PLTR 的高电流承受能力（100A）使其适用于大功率负载的控制，如电机驱动、电源开关等应用。其坚固的 TO-247 封装设计不仅提升了散热效率，还增强了在高功率环境下的稳定性和可靠性。
此外，该 MOSFET 在高温环境下表现出色，能够在高达 +175°C 的结温下正常工作，适合高温工业环境或恶劣条件下的应用。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提升开关频率下的性能表现，适用于高频功率转换器设计。
最后，PAA140PLTR 设计上具备较强的抗热阻能力，能够在高负载条件下维持稳定的电气性能，减少了因过热而导致的性能下降或器件失效的风险。
PAA140PLTR 适用于多种功率电子系统，包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电源管理系统、电池充放电控制器、工业自动化设备以及高功率开关电源。由于其高效率和高可靠性，该器件特别适合用于对性能要求较高的工业、汽车和通信设备中。
SiHF140N150D, IXFN100N150P3, FDPF140N150
