PAA110PTR 时间：2025/8/6 0:20:22 阅读：13

PAA110PTR 是一颗由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高功率密度，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~2.5V
　　最大功耗（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：PowerPAK 1212-8
　　

特性

PAA110PTR 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现卓越。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了在高电流条件下的导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该 MOSFET 支持较高的栅极电压驱动（VGS 最大为 20V），允许用户根据应用需求进行灵活配置，从而优化开关性能。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了电流承载能力和热稳定性，确保在高负载条件下仍能保持良好的工作状态。PowerPAK 1212-8 封装形式具备优异的热管理能力，有助于快速散热，延长器件使用寿命。
　　再者，PAA110PTR 的栅极阈值电压较低（1V~2.5V），可与多种驱动电路兼容，包括低压微控制器和逻辑 IC，适用于低功耗控制和便携式电子产品。
　　最后，其工作温度范围广泛（-55°C 至 150°C），适用于各种严苛环境下的应用，包括工业自动化、汽车电子和通信设备等。

应用

PAA110PTR 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率管理系统中。
　　典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）等。
　　在电源转换器中，PAA110PTR 可作为主开关器件，实现高效率的能量转换，适用于服务器电源、适配器和电源模块等产品。
　　在电机控制方面，其高电流能力和低导通损耗使其适用于小型电机和步进电机的驱动电路。
　　此外，由于其支持低压栅极驱动，PAA110PTR 也常用于嵌入式系统中作为负载开关，用于控制外设的供电，例如 LED 灯、传感器、风扇等。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载电源管理系统、车载充电器和车身控制模块等应用。