PA502FMG 时间：2025/6/30 12:59:08 阅读：3

PA502FMG 是一款高性能的 N 治道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频开关应用和功率转换电路。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和出色的热性能，适用于消费电子、工业控制和通信设备中的电源管理解决方案。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TO-263（D2PAK），具有良好的散热特性和坚固的结构设计，便于表面贴装和自动化生产。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　总功耗：140W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　开关速度：快速开关特性

特性

PA502FMG 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
　　2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗，特别适合高频操作。
　　3. 高电流承载能力，支持高达 50A 的连续漏极电流，适应大功率应用场景。
　　4. 采用 TO-263 封装，具备优秀的散热性能，同时兼容表面贴装技术（SMT）。
　　5. 广泛的工作温度. 内部集成保护机制，增强可靠性并简化电路设计。

应用

PA502FMG 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
　　2. 电机驱动和逆变器电路中的功率级器件。
　　3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
　　4. LED 照明驱动器中的功率调节元件。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 通信电源和不间断电源（UPS）系统中的关键功率器件。