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PA4339.132NLT 发布时间 时间:2025/8/28 14:35:51 查看 阅读:9

PA4339.132NLT是一款由美国半导体公司Analog Devices(ADI)旗下的Hittite Microwave Corporation设计和制造的射频(RF)功率分配器/合成器芯片。该芯片属于无源器件,广泛用于射频和微波系统中,用于信号的分割或合并。该芯片基于宽带设计,适用于多种高频应用,如通信系统、测试仪器、雷达系统和无线基础设施。

参数

工作频率范围:2 MHz 至 4 GHz
  插入损耗:典型值为 0.3 dB
  幅度不平衡:典型值为 0.15 dB
  相位不平衡:典型值为 ±1.5°
  端口隔离度:典型值为 20 dB
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:10引脚 TDFN 封装
  阻抗匹配:50Ω

特性

PA4339.132NLT是一款高性能的宽带射频功率分配器/合成器,采用紧凑的10引脚TDFN封装,适合高密度电路设计。其内部结构基于Wilkinson功分器设计,确保了在宽频率范围内优异的幅度和相位平衡性能。该器件在2 MHz至4 GHz的频率范围内具有出色的性能表现,插入损耗低至0.3 dB,幅度不平衡为0.15 dB,相位不平衡为±1.5°,这使得它非常适合对信号一致性要求较高的应用场景。此外,该器件的端口隔离度达到20 dB,有助于减少端口之间的干扰,提高系统的整体稳定性。该芯片支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产并降低组装成本。
  PA4339.132NLT采用无源元件实现,无需外部供电,简化了系统设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级温度要求,适用于严苛环境下的应用。该芯片的50Ω标准阻抗匹配设计,与大多数射频系统兼容,无需额外的阻抗转换电路,从而降低了设计复杂性。由于其宽带特性,PA4339.132NLT可以在多个通信频段(如GSM、WCDMA、Wi-Fi、LTE等)中使用,具有很高的灵活性和适应性。

应用

PA4339.132NLT广泛应用于射频和微波系统中,包括无线通信基础设施(如基站、中继器等)、测试与测量设备(如频谱分析仪、信号发生器等)、雷达和电子战系统、广播和卫星通信设备、无线局域网(WLAN)和蜂窝网络设备等。该芯片也可用于射频信号的分配与合成,适用于多路复用器、混频器前端和天线分集系统等应用场景。此外,在无线传感器网络和物联网(IoT)设备中,PA4339.132NLT可用于信号路径的优化和管理。

替代型号

[
   "HMC4339",
   "HMC539",
   "HMC539MS10E",
   "HMC4339LP4E"
  ]

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PA4339.132NLT参数

  • 现有数量24,464现货
  • 价格1 : ¥15.79000剪切带(CT)1,500 : ¥7.53302卷带(TR)
  • 系列PA4339
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 滤波器类型-
  • 线路数2
  • 不同频率时阻抗1.3 kOhms @ 100 MHz
  • 不同频率时电感9 μH @ 100 kHz
  • 额定电流(最大)2.5A
  • DC 电阻?(DCR)(最大值)21 毫欧
  • 额定电压 - DC80V
  • 额定电压 - AC-
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 等级-
  • 认证机构-
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 大小 / 尺寸0.276" 长 x 0.236" 宽(7.00mm x 6.00mm)
  • 高度(最大值)0.150"(3.80mm)
  • 封装/外壳水平式,4 PC 板