PA28F200BVT60 时间：2025/12/26 14:15:09 阅读：11

PA28F200BVT60是一款由英飞凌（Infineon）科技公司生产的高性能、高密度的并行接口闪存（Flash Memory）芯片，属于其NOR Flash产品线中的一员。该器件专为需要可靠非易失性存储的应用而设计，具备较高的读取速度和良好的耐久性，适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统以及其他对数据保存和启动代码执行有严格要求的场合。PA28F200BVT60采用48引脚TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，工作电压为3.3V，兼容低功耗系统设计。该芯片内部结构为256K x 8位或128K x 16位的组织方式，总容量为2兆字节（16兆位），支持字节/字模式访问，便于与多种微处理器和微控制器接口连接。
　　该器件集成了先进的擦除和编程算法，可通过片上状态机自动完成操作，减轻主机处理器负担。同时，它支持硬件复位功能，在上电或异常情况下可强制进入标准读取模式，提升系统稳定性。此外，PA28F200BVT60具备优异的环境适应能力，可在宽温范围内稳定运行，满足工业级温度标准（-40°C至+85°C）。其内建的命令寄存器允许用户执行包括写入、擦除、查询等在内的多种操作，且具有软件数据保护机制，防止因误操作导致的关键数据丢失。整体而言，这款NOR Flash因其可靠性强、接口简单、启动速度快等特点，广泛应用于需要本地存储固件或配置信息的嵌入式平台中。

参数

型号：PA28F200BVT60
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：NOR Flash Memory
　　存储容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：256K x 8 / 128K x 16
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　接口类型：并行接口
　　访问时间：60 ns
　　封装形式：48-pin TSOP Type I
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：软件及硬件支持
　　复位引脚：有
　　待机电流：< 10 μA
　　读取电流：典型值约 30 mA

特性

PA28F200BVT60具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域中表现出色。首先，其高速60纳秒的访问时间确保了快速的数据读取能力，特别适合用于直接从闪存执行代码（XIP, eXecute In Place）的应用场景，如路由器、工控机和医疗设备中的启动引导程序存储。这种无需将代码复制到RAM即可执行的能力显著提升了系统响应速度并降低了内存资源占用。其次，该器件采用3.3V单电源供电，并通过内部电荷泵生成编程所需的高压，从而简化了外部电源设计，避免了传统多电压系统的复杂布线与电源管理难题。
　　第三，PA28F200BVT60支持全芯片擦除和按扇区擦除两种模式，最小擦除单元为64KB扇区，允许用户灵活地更新部分固件而不影响其他区域内容。每个扇区均可承受至少10万次的擦写周期，保证了长期使用的耐久性。同时，芯片内置的状态寄存器提供详细的操作反馈，例如编程成功与否、超时错误或电压异常等，使主机能够实时监控写入过程并进行相应处理，提高了系统的可诊断性和容错能力。
　　第四，该器件具备强大的数据保护机制。除了可以通过软件指令序列启用写保护外，还设有硬件复位（RESET#）引脚，当系统上电或发生故障时，能自动将芯片置于安全读取模式，防止意外写入或擦除。这一机制对于保障关键固件不被篡改至关重要。此外，其CMOS工艺制造带来的低功耗特性，使得在待机状态下电流消耗低于10μA，非常适合电池供电或绿色节能型设备使用。
　　最后，PA28F200BVT60符合工业级温度规范（-40°C至+85°C），能够在恶劣环境下稳定运行，增强了系统的环境适应能力。其TSOP封装体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用，同时保持良好的散热性能和电气连接可靠性。这些综合优势使其成为工业自动化、网络基础设施和高端消费电子中理想的代码存储解决方案。

应用

PA28F200BVT60主要应用于需要高可靠性、快速启动和本地固件存储的嵌入式系统中。典型应用包括网络通信设备（如路由器、交换机、基站控制器），其中用于存放BIOS或Bootloader程序；工业控制系统（如PLC、HMI人机界面、数控机床），用于保存操作逻辑和配置参数；医疗仪器（如监护仪、成像设备），用于存储校准数据和系统固件；以及测试测量设备和航空航天电子模块等对数据完整性要求极高的领域。此外，也常用于需要现场升级固件（FOTA或现场编程）的场景，得益于其扇区擦除和耐久性设计，支持安全可靠的远程更新机制。由于其XIP特性，还可作为主控MCU直接执行代码的存储介质，减少对外部RAM的依赖，优化系统架构。