P8NK80Z 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力和高电流处理能力,适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和开关电源等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):800V
最大漏极电流(ID):8A
导通电阻(RDS(on)):典型值1.2Ω(在VGS=10V时)
栅极电荷(Qg):约32nC
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220
P8NK80Z 的主要特性之一是其高耐压能力,最大漏源电压可达800V,使其适用于高电压开关应用。该器件的导通电阻较低,在VGS=10V时典型值为1.2Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,P8NK80Z具有较高的热稳定性,能够在恶劣的温度环境下稳定工作,工作温度范围从-55°C到175°C,适应性强。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过压情况下保持稳定,提高系统的可靠性。栅极电荷(Qg)约为32nC,使得开关速度较快,适用于高频开关应用。P8NK80Z采用TO-220封装,具有良好的散热性能,适合高功率密度设计。此外,其封装形式便于安装在标准的PCB上,支持多种散热方式,如加装散热片或风冷散热。
P8NK80Z 常用于高电压和高功率的开关应用,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和功率因数校正(PFC)电路。由于其高耐压和低导通电阻特性,该MOSFET也适用于工业自动化设备、照明系统(如电子镇流器)、电源管理系统以及家电产品中的功率控制模块。
在开关电源中,P8NK80Z 可用于主开关晶体管,以实现高效的能量转换。在电机驱动器中,该器件能够提供稳定的高电流输出,适用于直流电机和步进电机的控制。此外,在逆变器和UPS(不间断电源)系统中,P8NK80Z 可作为功率开关元件,提供可靠的高电压和高电流处理能力。
STW8NK80Z, 2SK2143, 2SK2545