P8NK80Z 时间：2025/7/22 22:22:03 阅读：8

P8NK80Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和高电流处理能力，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和开关电源等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：800V
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.2Ω（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约32nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220

特性

P8NK80Z 的主要特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达800V，使其适用于高电压开关应用。该器件的导通电阻较低，在VGS=10V时典型值为1.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，P8NK80Z具有较高的热稳定性，能够在恶劣的温度环境下稳定工作，工作温度范围从-55°C到175°C，适应性强。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定，提高系统的可靠性。栅极电荷（Qg）约为32nC，使得开关速度较快，适用于高频开关应用。P8NK80Z采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。此外，其封装形式便于安装在标准的PCB上，支持多种散热方式，如加装散热片或风冷散热。

应用

P8NK80Z 常用于高电压和高功率的开关应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和功率因数校正（PFC）电路。由于其高耐压和低导通电阻特性，该MOSFET也适用于工业自动化设备、照明系统（如电子镇流器）、电源管理系统以及家电产品中的功率控制模块。
　　在开关电源中，P8NK80Z 可用于主开关晶体管，以实现高效的能量转换。在电机驱动器中，该器件能够提供稳定的高电流输出，适用于直流电机和步进电机的控制。此外，在逆变器和UPS（不间断电源）系统中，P8NK80Z 可作为功率开关元件，提供可靠的高电压和高电流处理能力。