P8155H-2/P8155H 时间：2025/10/28 11:17:41 阅读：23

P8155H-2（或P8155H）是一款由Power Integrations生产的高度集成的电源管理IC，专为离线式开关电源应用设计。该器件集成了高压功率MOSFET和先进的控制电路，适用于反激式变换器拓扑结构，广泛用于低至中等功率的AC-DC转换场合。P8155H-2属于InnoSwitch3-EP产品系列，采用InSOP-24D封装，具备高效率、高可靠性和紧凑的设计特点。该芯片支持宽范围输入电压（典型为85VAC至265VAC），并提供精确的次级侧反馈控制，无需光耦即可实现±3%以内的输出电压调节精度。其内置的多模式准谐振（QR）和CCM/DCM混合控制算法可优化不同负载条件下的能效表现，同时降低EMI噪声。此外，P8155H-2还集成了全面的保护功能，包括过流、过压、过温、开环和短路保护，提升了系统的安全性和鲁棒性。得益于其高度集成化设计，使用该芯片可以显著减少外部元器件数量，简化电源设计流程，并提高整体系统可靠性，特别适合对空间和效率要求较高的工业、消费类及家电应用领域。

参数

工作输入电压范围：85VAC - 265VAC
　　最大输出功率：约75W（取决于设计）
　　集成MOSFET耐压：725V
　　控制器类型：次级侧同步整流反馈控制（FluxLink技术）
　　控制模式：准谐振（QR）、DCM、CCM自适应
　　开关频率：可变，最高可达132kHz
　　反馈方式：无光耦FluxLink数字反馈
　　输出电压精度：±3%
　　封装形式：InSOP-24D（带裸焊盘散热）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　集成保护功能：OVP、OCP、OTP、SCP、Open-loop保护
　　符合安规标准：满足IEC 60950/62368绝缘要求

特性

P8155H-2采用Power Integrations独有的InnoSwitch3-EP架构，融合了初级侧高压功率MOSFET与次级侧同步整流控制器，并通过FluxLink磁感耦合技术实现隔离式数字信号传输，从而在不使用光耦的情况下完成精准的二次侧反馈控制。这种设计不仅提高了系统的长期可靠性（避免了光耦老化问题），而且增强了抗电磁干扰能力，确保在复杂电磁环境中仍能稳定运行。芯片内部集成了一个725V的CoolMOS?，能够承受高压浪涌和雷击测试，适用于全球通用输入电压范围的应用场景。
　　该器件支持多种工作模式，包括准谐振（QR）、临界导通模式（CRM）以及连续导通模式（CCM），控制器可根据负载情况自动切换最优运行模式，以实现全负载范围内高达94%以上的转换效率。尤其在轻载条件下，系统可进入突发模式（Burst Mode），大幅降低待机功耗，轻松满足Energy Star、DoE Level VI等国际能效标准。
　　InSOP-24D封装提供了优异的散热性能和电气隔离能力，爬电距离超过8.5mm，适用于加强绝缘设计。此外，芯片具备完善的多重保护机制：实时监测输出电压和电流状态，在发生过压、过流、过热或开环故障时迅速关断输出；同时支持自动恢复或锁存模式配置，便于系统进行故障诊断与处理。所有这些功能都通过高度集成的方式整合于单颗芯片中，极大减少了外围元件数量，降低了PCB布局难度和生产成本，是现代高效、高密度电源设计的理想选择之一。

应用

P8155H-2广泛应用于需要高效、小体积且高可靠性的离线式开关电源系统中。典型应用包括家用电器中的微波炉、洗衣机、空调和冰箱的辅助电源（Auxiliary Supply或Bias Rail）；工业控制设备如PLC、电机驱动器、传感器供电模块等需要隔离电源的场合；此外也适用于网络通信设备、智能电表、LED照明驱动电源以及医疗设备中的低功率AC-DC转换模块。由于其无需光耦的设计特点，特别适合对长期稳定性要求高的封闭式电子产品，避免因光耦性能衰减导致的电源失效问题。同时，该芯片支持宽输入电压范围和高效率运行，使其成为满足全球市场准入要求（如CE、UL、CCC认证）的理想解决方案。其高集成度也有助于缩小电源体积，适用于空间受限的嵌入式系统设计。