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P7S-14P-E 发布时间 时间:2025/12/27 2:29:29 查看 阅读:13

P7S-14P-E是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)以及雷击感应等瞬态过电压的损害。该器件属于PicoGuard系列,采用紧凑的表面贴装封装(SOT-23或类似小型封装),适用于高密度PCB布局和对空间要求严格的便携式电子产品。P7S-14P-E集成了多个双向TVS二极管,能够同时保护多条信号线,广泛应用于高速数据接口、通信端口和消费类电子产品的信号线路保护中。
  该器件的设计目标是提供低电容、快速响应时间和高可靠性,确保在不影响信号完整性的情况下实现高效的瞬态电压抑制。其工作温度范围通常覆盖工业级标准,适合在各种环境条件下稳定运行。P7S-14P-E符合RoHS环保要求,并通过了IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4等国际电磁兼容性标准认证,具备出色的抗干扰能力。

参数

类型:瞬态电压抑制二极管阵列
  极性:双向
  通道数:4通道
  工作电压(VRWM):14V
  击穿电压(VBR):15.6V @ 1mA
  最大钳位电压(VC):24.4V @ 1A
  峰值脉冲电流(IPP):5A
  电容值(C):典型值为10pF @ 1MHz
  封装形式:SOT-23-6
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  ESD耐受能力:±30kV(接触放电)
  标准合规性:符合IEC 61000-4-2 Level 4、IEC 61000-4-4

特性

P7S-14P-E具备卓越的瞬态电压抑制性能,能够在纳秒级时间内响应高达±30kV的静电放电事件,有效防止ESD对下游集成电路造成损伤。其内部结构由四个独立的双向TVS二极管组成,每个通道均可独立工作,适用于保护差分信号对或单端信号线,如USB、HDMI、RS-485、GPIO等高速或通用接口。由于采用了先进的半导体工艺,该器件在保持高浪涌承受能力的同时实现了极低的结电容(典型值仅为10pF),从而最大限度地减少了对高频信号传输的影响,避免了信号衰减、反射或失真问题,特别适合用于现代高速数字系统中。
  该器件的双向设计使其能够应对正负方向的瞬态过压事件,无需考虑输入信号的极性,简化了电路设计并提高了系统的鲁棒性。P7S-14P-E的钳位电压较低,在5A的峰值脉冲电流下钳位电压为24.4V,这意味着它可以在不过度升高线路电压的情况下将瞬态能量安全泄放到地,保护后级芯片免受高压冲击。此外,其SOT-23-6的小型化封装不仅节省PCB空间,还具有良好的热传导性能,能够在连续或重复性瞬态事件中维持稳定的电气特性。
  从可靠性角度来看,P7S-14P-E经过严格的老化测试和环境应力筛选,可在-55°C至+150°C的宽温度范围内长期稳定运行,适用于工业控制、汽车电子、医疗设备等多种严苛应用场景。其材料符合RoHS指令要求,不含铅、镉等有害物质,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色制造趋势。同时,该器件通过了IEC 61000-4-2 Level 4(接触放电±8kV/空气放电±15kV)和IEC 61000-4-4等关键EMC标准认证,确保在复杂电磁环境中仍能提供可靠保护。

应用

P7S-14P-E广泛应用于需要高等级ESD和瞬态电压防护的电子系统中,尤其是在便携式消费类电子产品中表现突出。例如,在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,它常用于保护USB接口、耳机插孔、触摸屏控制器和传感器信号线,防止用户操作过程中产生的静电损坏主控芯片。在工业通信领域,该器件可用于RS-232、RS-485、CAN总线等接口的信号线保护,提升系统在恶劣电气环境下的抗干扰能力和运行稳定性。此外,在网络设备如路由器、交换机中,P7S-14P-E可用于以太网PHY侧的信号保护,配合磁珠和滤波电路共同构建完整的EMI抑制方案。
  在汽车电子方面,尽管该器件并非专为AEC-Q101认证设计,但仍可用于车载信息娱乐系统、车内传感器模块和辅助驾驶系统的非动力域电路中,提供一定程度的ESD防护。医疗设备中也常见其身影,特别是在便携式监护仪、血糖仪等人机交互频繁的设备上,用于保护按键、显示屏和数据传输接口。此外,智能家居设备如智能门锁、温控器、无线摄像头等同样依赖此类TVS阵列来增强产品耐用性和用户体验。总之,凡是有暴露在外的接口且存在静电或瞬态干扰风险的应用场景,P7S-14P-E都是一种经济高效且技术成熟的保护解决方案。

替代型号

SP1205-04UTG

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P7S-14P-E参数

  • 制造商Omron
  • 产品种类继电器插座与硬件
  • 工厂包装数量1