时间：2025/7/22 20:56:36
阅读：6
P7NK30Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高频率开关应用，具有低导通电阻和高耐压能力，广泛用于电源转换、DC-DC变换器、负载开关和电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：300V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：7A
导通电阻(Rds(on))：典型值1.2Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
P7NK30Z MOSFET采用了先进的制造工艺，具有出色的导通和开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其高栅极绝缘能力（±20V Vgs）增强了器件在高噪声环境中的可靠性，同时该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频开关电源应用。
此外，P7NK30Z具有优异的雪崩能量耐受能力，可在高应力条件下保持稳定工作，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。其TO-220封装提供了良好的散热性能，确保器件在高电流条件下的稳定运行。
P7NK30Z 主要用于以下应用场景：电源管理系统、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、电池充电器、负载开关、工业自动化设备和家电控制电路等。该MOSFET的高耐压和低导通电阻特性使其成为中功率开关应用的理想选择。
STP7NK30Z, STW7NK30Z, 2SK2225, IRF840
