类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　漏极电流（ID）：7 A
　　RDS(on)：最大1.2 Ω（在VGS = 10 V时）
　　功率耗散（PD）：50 W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220FP

P7NB80FP的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的800 V漏源电压额定值使其非常适合用于高电压应用，例如开关电源（SMPS）、逆变器和马达控制电路。
　　此外，P7NB80FP具备良好的热稳定性，TO-220FP封装提供了良好的散热性能，使其能够在较高的功率水平下稳定工作。栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V之间的驱动电压，从而提高了设计的灵活性。
　　该MOSFET还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持可靠运行。其内部结构优化设计降低了开关损耗，同时减少了电磁干扰（EMI）的影响，适用于对EMI敏感的系统。
　　由于其较高的耐用性和可靠性，P7NB80FP适用于需要长期稳定运行的工业设备、消费类电子产品以及汽车电子系统。

P7NB80FP广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高电压和高效率的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、DC-DC转换器、马达驱动电路、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在开关电源领域，P7NB80FP用于主开关管，能够有效提升转换效率并减少发热。在LED照明应用中，该MOSFET常用于恒流驱动电路，以确保光源的稳定性和长寿命。
　　此外，P7NB80FP还可用于家电产品中的功率调节模块，例如电饭煲、电磁炉等需要高频开关的场合。其高耐压能力和良好的导通特性也使其成为光伏逆变器、电池充电器等新能源相关设备的理想选择。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车载电源管理系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等应用，满足车载环境对高可靠性和稳定性的要求。

STP8NK80ZFP
　　STP7NK80TFP
　　FQA7N80C