P75N75 时间：2025/6/5 12:26:58 阅读：34

P75N75是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。其设计特点在于能够在高电压环境下工作，并提供较低的导通电阻以减少功耗。
　　该型号的额定电压为750V，能够满足多种高压场景的需求，同时具备快速开关特性，有助于提高系统效率。

参数

最大漏源电压：750V
　　连续漏极栅极阈值电压：4V~6V
　　导通电阻：1.2Ω（典型值，在Vgs=10V时）
　　输入电容：1200pF
　　总功耗：130W
　　结温范围：-55℃至+150℃

特性

P75N75的主要特性包括：
　　1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
　　2. 较低的导通电阻，减少了在导通状态下的功率损耗。
　　3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗并提升整体效率。
　　4. 具备出色的雪崩能量承受能力，提高了器件的可靠性和耐用性。
　　5. TO-220封装，便于散热处理和电路板布局。
　　6. 符合RoHS标准，环保且适用于现代电子产品设计需求。

应用

P75N75广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS），如适配器和工业电源。
　　2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流管。
　　3. 电机驱动电路，特别是小型直流电机控制。
　　4. 负载开关及保护电路，确保设备的安全运行。
　　5. 各种需要高压大电流开关的应用场合，例如电磁阀驱动等。