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P75N75 发布时间 时间:2025/6/5 12:26:58 查看 阅读:8

P75N75是一种N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。其设计特点在于能够在高电压环境下工作,并提供较低的导通电阻以减少功耗。
  该型号的额定电压为750V,能够满足多种高压场景的需求,同时具备快速开关特性,有助于提高系统效率。

参数

最大漏源电压:750V
  连续漏极栅极阈值电压:4V~6V
  导通电阻:1.2Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  输入电容:1200pF
  总功耗:130W
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

P75N75的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,适合高压应用场景。
  2. 较低的导通电阻,减少了在导通状态下的功率损耗。
  3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提升整体效率。
  4. 具备出色的雪崩能量承受能力,提高了器件的可靠性和耐用性。
  5. TO-220封装,便于散热处理和电路板布局。
  6. 符合RoHS标准,环保且适用于现代电子产品设计需求。

应用

P75N75广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器和工业电源。
  2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流管。
  3. 电机驱动电路,特别是小型直流电机控制。
  4. 负载开关及保护电路,确保设备的安全运行。
  5. 各种需要高压大电流开关的应用场合,例如电磁阀驱动等。

替代型号

P75N75S
  FDP75N75B
  IRF750

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