型号：P75N02LTG
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：75 A（在TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：300 A
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻RDS(on)：4.5 mΩ（在VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：6.5 mΩ（在VGS=4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.8 V，最小值1.4 V，最大值2.4 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值36 nC（在VDS=16V，ID=37.5A）
　　输入电容（Ciss）：典型值3300 pF（在VDS=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值9 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值45 ns
　　封装形式：DPAK（TO-252）
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　功率耗散（PD）：160 W（在TC=25°C）

P75N02LTG采用ON Semiconductor先进的TrenchFET技术，实现了极低的导通电阻，从而显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。该器件在VGS=10V时的RDS(on)仅为4.5mΩ，在VGS=4.5V时也仅为6.5mΩ，这使得它在大电流应用中能够有效减少发热，提升系统稳定性。其低RDS(on)特性特别适用于电池供电设备和高密度电源模块，有助于延长电池寿命并减少散热设计复杂度。
　　该MOSFET具有优异的开关性能，栅极电荷Qg典型值为36nC，结合较低的输入电容（Ciss=3300pF），使得器件能够在高频开关环境下快速响应，减少开关损耗。开启延迟时间和关断延迟时间分别为9ns和45ns，表明其具备出色的动态响应能力，适用于高频率DC-DC转换器和同步整流电路。此外，其阈值电压范围适中（1.4V~2.4V），可兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V微控制器输出，简化了驱动电路设计。
　　P75N02LTG的DPAK封装不仅提供了良好的电气连接，还具备较强的热传导能力，可通过PCB上的铜箔有效散热，适合高功率密度设计。该封装支持表面贴装工艺，便于自动化生产，提高了制造效率和产品一致性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业和汽车级应用。
　　该器件通过了严格的可靠性测试，具有良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，增强了在瞬态过压和浪涌电流条件下的耐用性。其符合RoHS指令，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。此外，ON Semiconductor为该器件提供了完整的技术支持文档，包括详细的数据手册、应用笔记和参考设计，帮助工程师快速完成产品开发与验证。

P75N02LTG广泛应用于需要高效、大电流开关能力的电源管理系统中。常见用途包括低压DC-DC转换器，特别是在多相降压变换器中作为下管或上管使用，因其低RDS(on)和快速开关特性可显著提升转换效率。该器件也常用于同步整流电路，替代传统二极管以减少正向压降和功耗，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块。
　　在电池管理系统（BMS）和便携式电子设备中，P75N02LTG可用作负载开关或电池隔离开关，实现对电源路径的精确控制，防止反向电流和过流损坏。其高达75A的连续漏极电流能力使其适合用于电动工具、无人机和小型电动车的电机驱动电路中，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件。
　　此外，该MOSFET适用于热插拔控制器、OR-ing电路和冗余电源系统，提供快速响应和低导通损耗。在汽车电子领域，可用于车载信息娱乐系统、LED驱动电源和车身控制模块中的电源切换。由于其良好的热稳定性和宽温度工作范围，P75N02LTG也能胜任工业控制、PLC模块和电源分配单元等严苛环境下的应用需求。

IRL7533
　　FDD8870AS
　　SiR662DP
　　AOZ5231EQI