时间:2025/12/26 22:19:29
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P6SMBJ85A是一款由Littelfuse、Bourns或其他制造商生产的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),属于P6SMBJ系列,采用DO-214AA(SMC)封装。该器件专为保护敏感电子设备免受瞬态高压事件(如雷击感应、电感负载切换、静电放电ESD等)的影响而设计。P6SMBJ85A的标称击穿电压为85V,工作于单向击穿模式,适用于直流电源线路或信号线路的过压保护场景。作为一款高性能TVS二极管,它能够在极短时间内响应瞬态过压脉冲,并将电压钳位于安全水平,从而防止下游电路元件损坏。
P6SMBJ85A具有较高的峰值脉冲功率承受能力(通常为600W,依据标准IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-5定义),具备低动态电阻、快速响应时间(通常小于1纳秒)以及高可靠性等特点。其封装形式DO-214AA具有良好的散热性能和机械强度,适合表面贴装工艺(SMT),广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等领域。此外,该器件符合RoHS环保要求,支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品对环境友好型元器件的需求。
类型:单向TVS二极管
封装:DO-214AA (SMC)
反向 standoff 电压(Vrwm):72.5V
击穿电压测试电流(Ixt):1mA
最小击穿电压(Vbr min):80.8V
最大击穿电压(Vbr max):93.1V
钳位电压(Vc max):117V
峰值脉冲电流(Ipp):5.13A
峰值脉冲功率(Ppp):600W
漏电流(IR):≤5μA
工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
极性:单极性
P6SMBJ85A的首要特性是其卓越的瞬态电压抑制能力,能够在遭遇高能瞬态脉冲时迅速导通,将线路电压钳制在安全范围内,防止后续电路因过压而失效。其响应时间极短,通常低于1纳秒,远快于传统的过压保护器件如压敏电阻或气体放电管,因此特别适合用于保护高速数据线或精密电源系统。这种快速反应机制依赖于PN结雪崩击穿原理,在正常工作状态下呈现高阻态,仅流过微安级别的漏电流;一旦线路电压超过其击穿阈值(典型值80.8V至93.1V之间),器件立即进入低阻导通状态,吸收大量瞬态能量并维持钳位电压不超过117V,确保被保护器件的安全。
该TVS二极管具备高达600W的峰值脉冲功率处理能力,依据国际电磁兼容标准IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)和IEC 61000-4-5(浪涌)进行测试验证,能够有效抵御多种类型的电气瞬变干扰。其低动态阻抗特性意味着在导通期间电压上升幅度小,提供更稳定的钳位效果。此外,P6SMBJ85A采用DO-214AA表面贴装封装,体积紧凑,便于自动化生产装配,同时具备良好的热传导性能,有助于热量从PN结散发出去,提高长期运行稳定性。
另一个关键优势是其长期可靠性和环境适应性。器件可在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作,适用于严苛工业或户外应用场景。材料方面符合RoHS指令要求,不含铅、镉等有害物质,并支持回流焊工艺,兼容现代绿色制造流程。由于其单向结构设计,P6SMBJ85A主要用于直流电路保护,例如电源输入端口、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路等场合。相比其他保护方案,TVS二极管不会老化降解,寿命长且性能稳定,是一种高效、可靠的被动保护元件。
P6SMBJ85A广泛应用于各类需要直流过压保护的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的PLC模块电源输入保护,防止现场传感器或执行器断开时产生的反电动势损坏主控单元。在通信基础设施领域,可用于以太网供电(PoE)设备、基站电源模块或光模块接口的瞬态抑制,提升系统电磁兼容性(EMC)性能。
在消费类电子产品中,该器件常被部署于适配器输出端、充电管理电路或USB电源路径上,防范插拔瞬间的电压突波或外部异常输入。在汽车电子方面,尽管非专门车规级型号,但仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或辅助电源单元中,对抗负载突降(Load Dump)或静电放电带来的风险。
此外,P6SMBJ85A也适用于医疗设备、安防监控系统以及可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的次级电源保护环节。由于其响应速度快、钳位精度高,还可用于保护微处理器、FPGA、ADC/DAC等敏感IC的供电引脚,避免因系统噪声或外部干扰导致功能紊乱或永久损伤。总之,任何存在电快速瞬变或雷击感应风险的直流电压线路均可考虑使用P6SMBJ85A作为第一道防护屏障。
P6SMBJ85CA
SP6SMBJ85A
SMAJ85A