时间：2025/8/14 14:13:44
阅读：18
P6SMBJ58C是一款由STMicroelectronics制造的双向电压抑制二极管（TVS），专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌电流和瞬态电压等威胁而设计。该器件采用先进的硅雪崩技术，能够在极短的时间内响应并吸收高能量的瞬态干扰，从而保护下游电路不受损坏。P6SMBJ58C的额定电压为58V，适用于需要较高电压保护的应用场景，如工业控制系统、通信设备、消费类电子产品等。
器件类型：双向TVS二极管
峰值脉冲电流（Ipp）：15.5A
反向工作电压（Vrwm）：58V
钳位电压（Vc）：96V（在Ipp下）
最大耗散功率（Ppp）：400W
封装形式：SMB（表面贴装）
温度范围：-55°C至150°C
P6SMBJ58C具有优异的瞬态电压抑制能力，能够在极短的时间内响应电压尖峰，确保电路安全。其双向结构设计使其适用于正负极性都可能受到干扰的场合，提供了全面的保护。该器件采用SMB封装，体积小、重量轻，便于在高密度电路板上安装。此外，P6SMBJ58C具有低漏电流特性，在正常工作条件下对电路的影响极小，不会干扰系统的正常运行。其高可靠性和长寿命设计使其适用于严苛的工作环境，能够在极端温度条件下稳定工作。器件的硅雪崩结构具有良好的能量吸收能力，能够在多次瞬态干扰事件中保持稳定的性能，延长系统的使用寿命。
P6SMBJ58C广泛应用于需要电压保护的电子设备中，如工业自动化控制系统、通信基站设备、网络交换机、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）、汽车电子系统等。它特别适用于那些可能遭受静电放电或雷击浪涌的接口电路保护，如USB接口、以太网端口、电源输入端口等。
P6SMBJ58CA, P6KE58C
