P6SMB56AT3G是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装双向瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和瞬态电压的损害。该器件具有快速响应时间和高能量吸收能力,适用于各种低电压电子系统的保护需求。P6SMB56AT3G采用SMB(DO-214AA)封装形式,适合用于自动化表面贴装工艺。
工作电压:56V
最大反向工作电压(VRWM):56V
击穿电压(VBR):62V - 68.7V
最大钳位电压(VC):96.9V(在Ipp = 5.0A时)
峰值脉冲电流(Ipp):5.0A
最大反向漏电流(IR):10μA(最大值,VRWM=56V)
响应时间:1.0ps(典型值)
封装形式:SMB(DO-214AA)
极性:双向
P6SMB56AT3G TVS二极管具有出色的电气特性和可靠性,适用于多种电子系统的保护需求。其双向特性使其能够在正负两个方向上有效抑制瞬态电压,提供全面的电路保护。器件的响应时间极短,通常在皮秒级别,能够在瞬态电压事件发生时迅速导通,将过电压引导至地,从而保护下游电路。该器件具有高达5.0A的峰值脉冲电流能力,能够在短时间内吸收大量能量,避免电路受到损坏。此外,P6SMB56AT3G的工作电压为56V,击穿电压范围为62V至68.7V,在正常工作条件下保持高阻态,仅在电压超过其击穿阈值时才会导通。
该器件还具备较低的反向漏电流,最大值为10μA,在正常工作电压下对系统的影响极小。P6SMB56AT3G采用SMB封装,具有良好的热管理和机械稳定性,适用于自动化表面贴装工艺,便于在高密度PCB设计中使用。其封装材料符合RoHS环保标准,适用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等多个领域。
由于其高可靠性和稳定性,P6SMB56AT3G在各类电子设备中被广泛采用,尤其是在需要保护敏感IC和电路免受ESD和浪涌电压影响的应用中。例如,在USB接口、HDMI接口、以太网端口和电源输入端口等位置,该器件能够有效吸收因外部静电或雷击浪涌引起的高能量瞬态电压,从而防止损坏关键电子元件。
P6SMB56AT3G适用于多种电子系统的电路保护应用,包括但不限于以下领域:
1. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等设备的接口保护,防止静电放电对内部电路造成损坏。
2. 工业控制系统:用于PLC、传感器、工业通信接口等设备,提高系统的抗干扰能力和稳定性。
3. 通信设备:保护路由器、交换机、基站等设备的电源和数据接口,确保在雷击或电涌事件中保持正常运行。
4. 汽车电子:应用于车载信息娱乐系统、导航设备、传感器模块等,提供对车辆电子系统的保护。
5. 电源管理模块:用于DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池管理系统等,防止瞬态电压对电源模块造成影响。
P6KE56CA, SMBJ56CA, SMAJ56CA