时间:2025/12/28 19:54:14
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P6SMB33CAHM4G是一款由ON Semiconductor制造的双向电压抑制二极管(TVS),专为保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和其他瞬态电压事件的损害而设计。该器件采用SMB(Small Molded Box)表面贴装封装,适用于需要紧凑设计和高效能保护的多种应用。P6SMB33CAHM4G的工作电压为33V,能够在短时间内承受高能量的电压瞬变,同时将其钳制在安全水平,以保护后级电路不受损坏。其快速响应时间和低漏电流特性使其成为保护敏感电子元件的理想选择。
器件类型:双向电压抑制二极管(TVS)
封装类型:SMB
最大反向工作电压(VRWM):33V
钳位电压(VC):53.3V(在IPP=3.37A时)
最大峰值脉冲电流(IPP):3.37A
最大反向漏电流(IR):10μA(在VRWM时)
响应时间(tRESP):1.0ps(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
P6SMB33CAHM4G具备多项高性能特性,适用于广泛的电路保护场景。其核心特性包括:
? 双向保护功能:该TVS器件能够在正负两个方向上对瞬态电压进行有效抑制,非常适合用于交流信号线路或需要双向保护的应用。这种特性使其在面对不同极性的瞬态电压冲击时都能提供一致的保护性能。
? 高能量吸收能力:P6SMB33CAHM4G设计用于吸收高达3.37A的峰值脉冲电流,确保在遭遇高强度电压瞬变时仍能保持稳定运行。其内部结构优化了能量耗散路径,从而有效降低钳位电压并提高器件的可靠性。
? 快速响应时间:其典型响应时间仅为1.0ps,使得TVS能够在瞬态电压事件发生的极短时间内迅速导通,将电压钳制在安全水平,防止后级电路受到损害。
? 低漏电流:在正常工作电压下,P6SMB33CAHM4G的反向漏电流最大为10μA,这有助于减少对系统功耗的影响,并避免在正常运行期间对电路造成干扰。
? 宽工作温度范围:该器件可在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作,适用于各种严苛的工业和汽车环境。
? 小型封装:采用SMB封装形式,占用PCB空间小,适合用于高密度布局的电路设计。同时,其表面贴装封装便于自动化生产和良好的热管理。
P6SMB33CAHM4G广泛应用于需要对瞬态电压进行有效抑制的多种电子系统中。常见应用包括:
? 通信设备:用于保护以太网接口、电话线路、数据传输端口等免受ESD和雷击浪涌的影响。
? 工业控制系统:在PLC、传感器接口、现场总线系统中提供可靠的电压保护,确保设备在恶劣工业环境中的稳定性。
? 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中的USB接口、音频接口、显示屏连接等部分,防止因静电放电导致的损坏。
? 汽车电子:用于车载信息娱乐系统、CAN总线接口、车身控制模块等,符合汽车电子对高可靠性和宽温度范围的要求。
? 电源管理系统:在直流电源输入端、电池管理系统中用于吸收瞬态能量,防止电压尖峰对后级电路造成损害。
P6KE33CA、SMBJ33CA、P6SMB33A、P6SMB33CA