P6NB90FP 时间：2025/7/22 15:31:44 阅读：9

P6NB90FP是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件由东芝（Toshiba）生产，具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性等特点。P6NB90FP采用先进的沟槽式工艺制造，能够在高频率下工作，适用于各种电源转换设备，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、负载开关和马达控制电路等。该器件采用DFN（Dual Flat No-lead）封装，具有较小的封装尺寸和优异的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：6A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大1.2Ω（在Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：DFN8
　　功率耗散（Pd）：120W

特性

P6NB90FP具有多项优良的电气和机械特性，适用于高要求的功率应用。首先，该器件的最大漏源电压为600V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换场合。其次，其漏极电流额定值为6A，在适当的散热条件下可维持稳定运行，适用于中等功率的开关应用。
　　该器件的导通电阻较低，最大仅为1.2Ω，在Vgs=10V时能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，其栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了稳定的开关控制，并具有良好的抗干扰能力。栅源电压最大可达±30V，提高了器件在复杂环境下的可靠性。
　　P6NB90FP采用DFN8封装，具有较小的外形尺寸和良好的散热性能，有助于提高PCB布局的灵活性，并降低热阻，确保在高功率运行时的稳定性。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于现代环保电子产品的设计要求。

应用

P6NB90FP广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、马达驱动器、负载开关以及工业自动化控制设备。在开关电源中，该器件可用于高边或低边开关，提供高效的功率转换能力。在DC-DC转换器中，P6NB90FP适用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提高转换效率并减小系统尺寸。在电机控制和负载开关应用中，其低导通电阻和高耐压特性能够确保系统的稳定运行和较长的使用寿命。