P6004ED 时间：2025/12/26 19:09:36 阅读：12

P6004ED是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET?技术制造，专为高效率电源转换和功率开关应用设计。该器件封装在PowerFLAT 5x6或类似的表贴式封装中，具备低热阻和优良的散热性能，适用于紧凑型电源系统。P6004ED的主要优势在于其优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) × Qg），这一品质因数（FOM）使其在硬开关和高频开关拓扑中表现出色。其额定电压为60V，连续漏极电流可达130A，适合用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、负载开关以及电池供电系统等对效率和空间有严格要求的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗雪崩能力和可靠性，能够在严苛的工作条件下稳定运行。

参数

型号：P6004ED
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id at 25°C）：130A
　　脉冲漏极电流（Idm）：390A
　　导通电阻Rds(on) max @ Vgs = 10V：2.8mΩ
　　导通电阻Rds(on) max @ Vgs = 4.5V：3.8mΩ
　　栅极电荷（Qg）典型值：73nC
　　输入电容（Ciss）典型值：4300pF
　　开启延迟时间（td(on)）：17ns
　　关断延迟时间（td(off)）：38ns
　　上升时间（tr）：30ns
　　下降时间（tf）：24ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

P6004ED采用STMicroelectronics先进的STripFET?垂直沟槽技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心特性之一是超低的Rds(on)，在Vgs = 10V时最大仅为2.8mΩ，这显著降低了导通损耗，提升了系统整体效率，尤其在大电流应用中效果明显。同时，该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好性能，在Vgs = 4.5V时Rds(on)仅为3.8mΩ，支持宽范围的逻辑电平驱动，兼容3.3V或5V控制信号，增强了其在现代数字控制系统中的适用性。
　　该MOSFET具有优化的栅极电荷特性，典型Qg为73nC，较低的栅极驱动能量需求有助于减少控制器的驱动负担并降低开关损耗。结合其快速的开关时间——开启延迟约17ns，关断延迟38ns，上升和下降时间分别为30ns和24ns，P6004ED非常适合高频开关应用，如同步降压转换器和多相VRM设计。此外，器件的输出电容（Coss）和反向恢复电荷（Qrr）均经过优化，有助于抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。
　　热性能方面，P6004ED封装于PowerFLAT 5x6封装中，具有低热阻（Rthj-case），可有效将热量传导至PCB，提升功率密度。其工作结温高达+175°C，具备出色的热稳定性，可在高温环境下长期运行。器件还具备优良的抗雪崩能力，能够承受瞬态过压冲击，增强系统鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的应用。所有这些特性使P6004ED成为高性能电源管理系统的理想选择。

应用

P6004ED广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。常见用途包括服务器和通信设备中的多相同步降压转换器，作为上管或下管MOSFET，其低Rds(on)和快速开关能力可显著提升转换效率并降低温升。在DC-DC模块和POL（点负载）电源中，该器件用于实现紧凑型高效稳压方案，满足现代处理器和FPGA的供电需求。
　　此外，P6004ED适用于电机驱动电路，特别是在无刷直流电机（BLDC）和步进电机的H桥驱动中，其高电流承载能力和快速响应特性确保了精确的转矩控制和高效运行。在电池管理系统（BMS）和便携式电源设备中，它可用于电池保护开关或负载切换，提供低功耗和高可靠性。
　　其他应用还包括热插拔控制器、电源分配单元、工业电源、LED驱动电源以及太阳能微型逆变器等。由于其表贴封装形式，特别适合自动化贴装和回流焊工艺，有利于大批量生产。在汽车电子领域，虽然P6004ED并非AEC-Q101认证器件，但在非车载关键系统中也可用于辅助电源或电机控制模块。总体而言，该器件适用于任何需要高电流、低损耗、小型化封装的功率开关场景。