P5NK80Z 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于各种电源管理与功率转换应用。这款MOSFET具有高耐压和大电流承载能力,适用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等场景。
类型:N沟道
最大漏极电流:5A
最大漏源电压:800V
最大栅源电压:±20V
导通电阻:1.2Ω(最大)
功率耗散:50W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220
P5NK80Z 具有以下主要特性:
1. 高耐压性能:漏源电压最大可达800V,使其适用于高电压环境,例如工业电源系统和照明设备。
2. 低导通电阻:最大导通电阻为1.2Ω,有效降低功率损耗并提升整体效率。
3. 高可靠性:在高温环境下依然能够保持稳定的性能,其工作温度范围为-55°C到+150°C。
4. 过载保护能力:具备一定的抗雪崩击穿能力,可以在短时间内承受较大的电流冲击。
5. 易于安装:采用TO-220封装,便于散热设计并适用于标准的PCB安装方式。
6. 低栅极电荷:有助于实现快速开关操作,减少开关损耗。
7. 热稳定性好:内部设计优化了热传导路径,确保长时间运行的稳定性。
P5NK80Z 常见于多种功率电子系统中,具体应用包括:
1. 开关电源(SMPS):用于电源转换电路,实现高效能的电力输出。
2. DC-DC转换器:适用于需要电压升降的场合,如电池管理系统和工业控制设备。
3. 电机驱动器:在电机控制电路中作为功率开关使用,提供可靠的控制性能。
4. LED照明系统:用于恒流驱动或调光控制,提升灯具的能效。
5. 家用电器:如电磁炉、微波炉等设备中的功率控制部分。
6. 工业自动化设备:在PLC、变频器等设备中实现高效的电力管理。
7. 不间断电源(UPS):用于逆变器部分,实现稳定的交流输出。
IRF840、STP5NK80Z、FQA8N80C、2SK2545