P5NB90 时间：2025/7/22 10:58:44 阅读：9

P5NB90 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：约 2.2Ω（典型值）
　　功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK（表面贴装）

特性

P5NB90 具备多项优异特性，使其在功率电子设计中具有广泛的应用前景。首先，其漏源电压高达 900V，使其适用于高电压环境，如 AC-DC 转换器和工业电源系统。其次，该器件的导通电阻较低，典型值约为 2.2Ω，在高电流应用中可显著降低功率损耗，提高整体效率。
　　此外，P5NB90 的最大连续漏极电流为 5.5A，具备良好的电流承载能力，适用于中等功率开关应用。其 ±30V 的栅源电压范围提供了更强的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。
　　在热管理方面，P5NB90 的封装设计（如 TO-220 和 D2PAK）具有良好的散热性能，使其在高功率操作下仍能保持较低的工作温度。同时，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于多种严苛环境条件下的稳定运行。
　　该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，增强了在电压突变或电感负载切换过程中的可靠性，减少了意外损坏的风险。