P5NB90 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场合。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):900V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):5.5A
导通电阻(Rds(on)):约 2.2Ω(典型值)
功耗(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220、D2PAK(表面贴装)
P5NB90 具备多项优异特性,使其在功率电子设计中具有广泛的应用前景。首先,其漏源电压高达 900V,使其适用于高电压环境,如 AC-DC 转换器和工业电源系统。其次,该器件的导通电阻较低,典型值约为 2.2Ω,在高电流应用中可显著降低功率损耗,提高整体效率。
此外,P5NB90 的最大连续漏极电流为 5.5A,具备良好的电流承载能力,适用于中等功率开关应用。其 ±30V 的栅源电压范围提供了更强的抗干扰能力,确保在复杂电磁环境中稳定运行。
在热管理方面,P5NB90 的封装设计(如 TO-220 和 D2PAK)具有良好的散热性能,使其在高功率操作下仍能保持较低的工作温度。同时,其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于多种严苛环境条件下的稳定运行。
该器件还具备良好的雪崩能量承受能力,增强了在电压突变或电感负载切换过程中的可靠性,减少了意外损坏的风险。
P5NB90 适用于多种功率电子系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、电机驱动电路、工业自动化控制系统、LED 照明驱动器以及家用电器中的电源管理模块。其高电压能力和良好的导通性能使其在高效率电源转换系统中表现优异。
STW9NK90Z、FQA5N90C、IRF840、P6NB90