时间：2025/8/24 23:42:39
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P5N50是一款常用的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适合中高功率应用。P5N50通常采用TO-220封装，具备良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：≤2.5Ω
功率耗散(Pd)：75W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
P5N50功率MOSFET具有多项优良特性。首先，其漏源耐压高达500V，适用于高压电源转换场合，具备良好的电压耐受能力。其次，导通电阻较低，通常在2.5Ω以下，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的最大连续漏极电流为5A，适用于中等功率的开关控制。P5N50的栅极驱动电压范围宽，一般在10V~20V之间即可实现完全导通，兼容多种驱动电路设计。
在热性能方面，P5N50采用TO-220封装形式，具备较好的散热能力，可在较高功率下稳定工作。其最大功率耗散为75W，适用于需要一定散热能力的电源模块。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和短路保护性能，增强了系统的可靠性和稳定性。此外，P5N50的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，适应多种环境条件，适合工业级应用。
P5N50广泛应用于多种功率电子设备中。在开关电源（SMPS）中，该MOSFET常用于主开关管，适用于AC-DC和DC-DC转换器拓扑结构，如反激式、正激式和半桥电路。在电机控制领域，P5N50可用于H桥结构，驱动直流电机或步进电机，实现正反转和调速控制。此外，该器件也常见于逆变器、UPS不间断电源和LED驱动电源中，作为主控开关元件。
由于其高耐压和中等电流能力，P5N50也适用于电池充电器、电焊机和功率放大器等设备。在一些需要高压控制的工业自动化系统中，该MOSFET也可用于继电器替代、负载开关和电源管理模块。由于其良好的热稳定性和可靠性，P5N50也常用于嵌入式系统和工控设备中的DC-DC电源转换模块。
IRF840, FQP5N50, 2SK2647, STP5NK50Z
