类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：56A
　　导通电阻(Rds(on))：约0.022Ω（典型值）
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220 / D2PAK

P56N20具备多项优异特性，使其在功率MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，这对于电源转换器和高电流应用尤为重要。其次，P56N20具有高耐压能力，漏源电压可达200V，适用于中高压功率转换场景。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高功率条件下保持稳定运行，并具备较强的过载承受能力。其高栅极电压容限（±20V）增强了在复杂驱动环境下的可靠性。P56N20还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。最后，其标准封装形式便于安装在散热片上，有助于提高热管理效率。
　　P56N20的另一个重要特性是其耐用性和稳定性。该器件在高温环境下依然能够保持良好的性能，具备较长的使用寿命。此外，其结构设计有助于减少电磁干扰（EMI），提升系统整体的电磁兼容性。这些特性使得P56N20成为工业控制、汽车电子、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等领域的理想选择。

P56N20被广泛应用于多种高功率电子系统中，主要涉及电源管理与功率控制领域。其典型应用包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电动车控制器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及各种工业自动化控制系统。在这些应用中，P56N20主要用于高效能开关操作，其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效率电源转换中表现尤为突出。此外，该器件也常用于高边和低边开关电路，用于控制负载的通断，如LED照明驱动、电机控制和负载开关模块等。
　　在汽车电子方面，P56N20可用于电动车的电池管理系统、车载充电器（OBC）和电机控制器，其高可靠性和耐压能力使其在严苛的车载环境中具有良好的适应性。同时，在家用电器中，如电磁炉、洗衣机、空调压缩机控制电路中，P56N20也常被用于功率控制开关，以实现高效的能量管理。

IRF1405, FDP56N20, STP55N20, FQP56N20