类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60V
　　漏极电流（ID）：55A
　　RDS(on)：最大值为0.022Ω（在VGS=10V时）
　　栅源电压（VGS）：最大±20V
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220AB
　　功率耗散（PD）：160W
　　导通延迟时间（td(on)）：约13ns
　　上升时间（tr）：约55ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约45ns
　　下降时间（tf）：约25ns

P55NE06L具有多项优秀的电气和热性能，使其成为高效功率开关的理想选择。其低导通电阻RDS(on)确保在高电流工作时损耗最小，从而提高了整体系统的效率。该MOSFET采用了先进的平面技术，具有优异的雪崩能量耐受能力，提高了器件在高压瞬态条件下的可靠性。
　　此外，P55NE06L的封装设计（TO-220AB）提供了良好的散热性能，能够在高功率条件下保持较低的结温。该器件还具备较高的dv/dt抗扰度，有助于防止在高频开关应用中出现意外的栅极电压扰动。
　　在栅极驱动方面，P55NE06L能够在宽广的栅极电压范围内稳定工作，通常在VGS=10V时即可完全导通，适合多种驱动电路使用。同时，其内部寄生二极管也具备良好的反向恢复特性，适合用于桥式电路或续流应用。
　　总体而言，P55NE06L是一款性能稳定、效率高、可靠性强的功率MOSFET，适用于各种中高功率电子系统。

P55NE06L适用于多种功率电子系统，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池充电器、电源管理模块、负载开关、LED驱动电路以及工业自动化控制系统。其低导通电阻和高效能特性使其特别适合用于高效率要求的电源转换系统，例如笔记本电脑适配器、服务器电源、电动工具和电动汽车中的功率模块。

IRFZ44N, STP55NF06, FDP55N06, IRLZ44N