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P55NE06 发布时间 时间:2025/7/22 20:56:00 查看 阅读:4

P55NE06是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高可靠性的功率开关应用,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及各类功率电子设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):55A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大44mΩ(在VGS=10V时)
  栅极电荷(Qg):典型值46nC
  功耗(Ptot):300W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-220、TO-247等

特性

P55NE06具有多项优异的电气和热性能,适用于高功率密度设计。其主要特性包括:
  1. 低导通电阻:P55NE06的最大导通电阻仅为44毫欧姆,在高电流应用中可显著降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高电流承载能力:该器件支持高达55A的连续漏极电流,适合需要大电流驱动的功率应用,如电机驱动器和DC-DC转换器。
  3. 耐高压能力:漏源电压最大可达60V,使其适用于多种中等电压功率转换场合。
  4. 快速开关特性:由于其较低的栅极电荷(Qg)值,P55NE06具备快速开关能力,有助于降低开关损耗,提高系统的动态响应速度。
  5. 高可靠性:该MOSFET采用先进的制造工艺,确保在高温和高负载条件下依然具有稳定的性能和长寿命。
  6. 热稳定性好:器件的封装设计有助于有效散热,从而在高功率操作下保持较低的温度上升,延长使用寿命。
  7. 适用于多种封装形式:提供TO-220和TO-247等封装选项,便于根据具体应用需求选择合适的封装形式,优化PCB布局和散热设计。

应用

P55NE06广泛应用于各种功率电子系统中,包括:
  1. DC-DC转换器:在升压、降压或升降压拓扑结构中作为主开关元件,实现高效能的能量转换。
  2. 电源管理系统:用于电源管理模块中,作为负载开关或稳压电路的核心元件。
  3. 电机控制:适用于无刷直流电机(BLDC)驱动器、步进电机控制器等,能够承受较大的瞬态电流冲击。
  4. 开关电源(SMPS):在AC-DC转换器中作为高频开关,提高电源转换效率并减小体积。
  5. 电池管理系统:用于电池充放电控制电路中,确保电池的安全和高效运行。
  6. 工业自动化设备:适用于工业控制和自动化系统中的功率开关,如PLC控制模块、继电器替代方案等。
  7. 新能源应用:包括太阳能逆变器、电动汽车充电系统等,提供高效的功率开关解决方案。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06, STP55NF06, IRLZ44N

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