P5506HVG 时间：2025/6/7 14:36:37 阅读：5

P5506HVG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率以及良好的热性能。它适用于多种电子设备中的电源管理、电机驱动和其他功率转换场景。

参数

型号：P5506HVG
　　类型：N-Channel MOSFET
　　VDS（漏源极电压）：60V
　　RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，在特定条件下）
　　ID（连续漏极电流）：118A
　　功耗：175W
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗。
　　2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
　　3. 快速开关速度，有助于提高系统的整体效率。
　　4. 提供出色的热稳定性，适合长时间高温环境运行。
　　5. 具备优异的电气性能和耐用性，适用于各种工业及消费类电子产品。
　　6. 封装紧凑且易于焊接，方便集成到复杂电路中。

应用

1. 开关电源（SMPS）设计中的功率转换。
　　2. 电动工具、家用电器中的电机驱动控制。
　　3. LED照明系统中的恒流驱动电路。
　　4. 各类电池保护电路和负载切换。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 汽车电子系统中的电源管理和电机控制。
　　其卓越的性能使其成为众多功率密集型应用场景的理想选择。