P5504EVG 时间：2025/6/30 17:07:17 阅读：2

P5504EVG 是一款高性能、低功耗的功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的导通电阻和开关性能，能够有效降低系统功耗并提高效率。
　　这款 MOSFET 以 N 沟道增强型场效应晶体管的形式呈现，适用于各种需要高效率和可靠性的电子电路设计。

参数

类型：N沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.8A
　　导通电阻(Rds(on))：70mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　总功耗(Ptot)：1.1W
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C

特性

P5504EVG 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提升整体效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
　　3. 高雪崩能量承受能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
　　4. 紧凑的 TO-252 封装，节省 PCB 布局空间。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业规范。
　　6. 广泛的工作温度范围，适应多种极端环境下的使用需求。

应用

P5504EVG 的典型应用场景包括：
　　1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
　　2. DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压转换。
　　3. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　4. 电池保护电路及负载切换。
　　5. 各类便携式设备和消费类电子产品中的高效能解决方案。
　　6. 工业自动化设备中的电源管理模块。