时间：2025/12/25 9:14:46
阅读：21
P549A04是一种高压功率MOSFET晶体管，常用于高功率和高频电子设备中。它由主要半导体制造商生产，具有良好的热稳定性和电气性能，适用于各种工业和汽车电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：400V
最大漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.85Ω
最大功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
P549A04具有优异的导通性能和快速开关特性，适合高频率工作环境。其高压能力和低导通电阻使其在功率转换应用中表现出色。此外，该器件具有较高的热稳定性和过载能力，能够在恶劣条件下长时间运行。P549A04还具备较低的栅极电荷和反向恢复时间，从而减少开关损耗并提高效率。其TO-220封装有助于良好的散热，确保器件在高负载下保持稳定性能。
P549A04广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、照明系统、消费电子产品和工业自动化设备。在汽车电子系统中，该器件也常用于电池管理系统和电动助力转向系统等关键应用。
IRF840, FDPF4N40, STP5NK40Z
