类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　封装：SOD-323（SC-76）
　　齐纳电压（Vz）：12V
　　最大齐纳电流（Izmax）：200mA
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　动态电阻（Zzt）：约 10Ω（典型值）
　　反向漏电流（Ir）：≤ 100nA（@ Vr = 8.2V）
　　测试电流（Izt）：5mA

P4SODJ12A-SH 齐纳二极管采用先进的硅平面技术制造，具有优异的电气性能和稳定性。其SOD-323封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该器件的齐纳电压为12V，适合用于中等功率的电压调节电路。
　　该齐纳二极管具有良好的温度稳定性和低动态阻抗，确保在负载变化时仍能维持稳定的输出电压。此外，其快速响应特性使其适用于需要快速稳压反馈的电路环境。
　　P4SODJ12A-SH 的最大耗散功率为300mW，最大齐纳电流可达200mA，因此在需要中等功率稳压的场合具有良好的应用表现。器件的反向漏电流极低（小于100nA），有助于减少静态功耗，提高电路效率。
　　由于其封装为无铅（RoHS兼容），P4SODJ12A-SH 符合现代电子制造中对环保材料的要求，适用于消费电子、汽车电子、工业控制及通信设备等多种应用场景。

P4SODJ12A-SH 主要用于以下应用场景：电源管理电路中的电压基准源、稳压电路中的反馈调节元件、保护电路中的过压钳位器件，以及各种便携式电子设备中的低功耗稳压解决方案。其小型封装也使其适用于空间受限的设计，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。此外，在工业控制系统中，该器件可作为电压监测和调节的关键组件，确保系统稳定运行。

P4SODJ12A, BZT52-B12, MMSZ4689-12