P4SMAJ51A T/R 是一款由多家厂商生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和瞬态电压的损害。其设计能够快速响应过电压事件,将多余的电压能量导通到地,从而保护后续电路的安全。该器件采用SMA(DO-214AC)封装,适用于需要高可靠性和紧凑布局的电路设计。
类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
封装:SMA(DO-214AC)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
最大反向工作电压(Vrwm):51V
击穿电压(Vbr):56.7V(最小值)至62.7V(最大值)
测试电流(Itest):1mA
最大箝位电压(Vc):86.9V @ 1.75A
最大峰值脉冲电流(Ipp):1.75A(8/20μs波形)
最大反向漏电流(Ir):10μA(最大值)
功率耗散:400W(峰值)
P4SMAJ51A T/R 具备优异的瞬态电压保护性能,能够在极短时间内响应并吸收高能量的电压瞬变。其采用的硅半导体结构确保了器件在高电压下的稳定性和可靠性。
该TVS二极管的最大箝位电压为86.9V,在1.75A的浪涌电流下仍能有效限制电压,保护下游电路不受损害。其最大反向漏电流仅为10μA,确保在正常工作条件下对电路的影响最小化。
封装方面,P4SMAJ51A T/R 使用SMA(DO-214AC)封装,体积小巧,适合表面贴装工艺,适用于高密度PCB布局。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适应各种恶劣工作环境。
此外,该器件具有高浪涌承受能力,可承受高达400W的峰值功率,适用于多种工业和消费类电子设备的电压保护。其响应时间极短,通常在皮秒级别,确保在电压瞬变发生时迅速反应,防止损坏敏感电路。
P4SMAJ51A T/R 主要用于需要高可靠性电压保护的电子设备中,适用于各种通信接口、电源模块、工业控制电路和消费类电子产品。例如,在RS-485、CAN总线、USB接口等通信接口中,P4SMAJ51A T/R 可以有效抑制静电放电和电压浪涌,保护接口芯片免受损坏。
在电源系统中,该TVS器件可用于保护电源输入端免受雷击浪涌和开关瞬态的影响,提高系统的稳定性和使用寿命。
此外,P4SMAJ51A T/R 还广泛应用于汽车电子、智能电表、安防设备、智能家居和物联网设备中,确保设备在复杂电磁环境中正常运行。
P4SMAJ51A, SMAJ51A, 1.5SMC51A, P6SMB51A