时间:2025/12/28 20:26:20
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P4SMA75AHR3G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的表面贴装型瞬态电压抑制二极管(TVS),专为保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的影响而设计。该器件采用SMA(DO-214AC)封装,适用于各种通用保护应用。P4SMA75AHR3G的工作电压为75V,具有快速响应时间和高能量吸收能力,能够在恶劣环境中提供稳定可靠的电路保护。
器件类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
封装类型:SMA(DO-214AC)
工作电压:75V
最大反向工作电压(VRWM):75V
击穿电压(VBR):83.3V - 92.1V
最大钳位电压(VC):121V(在Ipp = 8.75A时)
峰值脉冲电流(Ipp):8.75A(8/20μs波形)
最大反向漏电流(IR):10μA(最大)
功率耗散:400W(峰值脉冲功率)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
P4SMA75AHR3G具备多项优异特性,使其成为电路保护领域的优选器件。首先,其采用SMA表面贴装封装,便于自动化生产,同时具备良好的散热性能,有助于提高器件在高能量冲击下的稳定性。其次,该TVS二极管响应时间极快,通常在皮秒级别,能够在瞬态电压事件发生的瞬间迅速导通,将过电压钳位于安全范围内,从而有效保护后端电路不受损坏。
该器件的击穿电压范围为83.3V至92.1V,在75V的工作电压下能够提供足够的保护裕量,避免在正常工作电压下导通。同时,其最大钳位电压为121V,在8/20μs波形测试条件下,能够将瞬态电压限制在较低水平,减少对受保护器件的冲击。P4SMA75AHR3G的峰值脉冲电流能力为8.75A,可承受高达400W的脉冲功率,具备较强的抗浪涌能力。
此外,该器件在反向工作状态下漏电流极低(最大10μA),不会对系统的静态功耗造成明显影响。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)确保了在极端环境下的稳定运行,适用于工业、汽车、通信等多种应用领域。
P4SMA75AHR3G广泛应用于需要对电子设备进行过电压保护的各种场合。常见的应用包括电源模块、通信接口(如RS-232、RS-485)、工业控制系统、消费类电子产品、汽车电子、传感器电路以及电池供电设备等。在这些应用中,P4SMA75AHR3G可有效防止由于静电放电、雷击感应、电感负载开关或电源故障引起的瞬态电压对敏感电路造成损坏,从而提高系统的可靠性和稳定性。
例如,在工业控制设备中,该TVS可用于保护PLC(可编程逻辑控制器)的输入输出端口;在汽车电子系统中,可用于保护车载通信总线(如CAN总线)免受电压瞬变影响;在电源适配器或DC-DC转换器中,则可用于吸收来自电源输入端的浪涌能量,防止损坏后续电路。
P4SMA75A, P6SMB75A, SMAJ75A