时间：2025/12/28 20:29:26
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P4SMA43AHR3G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装（SMA）封装的双向瞬态电压抑制二极管（TVS）。该器件主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌电压和瞬态电压等高能量瞬态事件的损害。P4SMA43AHR3G具有较低的钳位电压和快速响应时间，适用于需要高可靠性保护的敏感电子设备。其工作电压为43V，能够在短时间内承受大电流冲击而不会损坏。
类型：双向TVS二极管
封装形式：SMA
工作电压：43V
最大反向关态电压（VRWM）：43V
击穿电压（VBR）：最小47.8V，最大52.8V
最大钳位电压（VC）：68.3V（在Ipp = 5.85A时）
峰值脉冲电流（Ipp）：5.85A（8/20μs波形）
功率耗散：400W（瞬态）
响应时间：小于1ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
P4SMA43AHR3G 的核心特性包括其高效的瞬态电压抑制能力和稳定的保护性能。该器件采用硅雪崩技术，能够在极短的时间内响应瞬态电压事件，确保电路中的敏感元件免受损坏。其双向特性使其适用于交流信号线路或需要双向保护的应用场景。P4SMA43AHR3G 的SMA封装结构紧凑，适合用于空间受限的PCB布局，并且支持表面贴装工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。
此外，P4SMA43AHR3G具有较高的能量吸收能力，最大峰值脉冲功率可达400W，使其能够应对多种瞬态电压威胁，如雷击浪涌、静电放电和电感负载切换等。该器件的钳位电压较低，有助于减少对后级电路的影响，从而提高系统的整体稳定性。其工作温度范围广泛，适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用场景。
在可靠性方面，P4SMA43AHR3G符合RoHS环保标准，并通过了多项国际认证，包括IEC 61000-4-2 ESD抗扰度测试和IEC 61000-4-5浪涌测试，确保其在各种恶劣环境下的稳定运行。
P4SMA43AHR3G 主要用于需要高可靠电压瞬态保护的电子系统中。其典型应用包括通信设备、计算机及其外围设备、工业控制系统、汽车电子模块、电源适配器、消费类电子产品以及各种接口保护电路（如USB、HDMI、以太网等）。在汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和传感器接口的保护，以防止静电放电和电压瞬变对系统造成损害。
在通信系统中，P4SMA43AHR3G常用于保护以太网端口、RS-485接口和同轴电缆连接器，防止因雷击或静电引起的瞬态电压损坏通信芯片。在电源管理电路中，它可作为输入端的浪涌保护元件，确保后级DC-DC转换器和稳压器的安全运行。此外，在便携式电子产品中，如智能手机和平板电脑，该器件可用于保护USB接口和充电端口，提高产品的可靠性和耐用性。
P4SMA43A, SMAJ43A, P6SMB43A, 5.0SMD43A
