P4SMA200A 时间：2025/4/28 18:55:43 阅读：2

P4SMA200A 是一款高功率、低噪声的砷化镓（GaAs）假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT），广泛用于射频和微波应用。该器件采用表面贴装封装，适合自动化装配工艺，具有出色的线性度和增益性能。P4SMA200A 的设计使其适用于各种无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器，工作频率范围广，能够在高频条件下保持稳定的性能。
　　其主要特点包括高增益、低噪声系数以及良好的匹配特性，能够满足现代通信系统对高性能射频组件的需求。

参数

型号：P4SMA200A
　　类型：pHEMT (假晶高电子迁移率晶体管)
　　材料：砷化镓 (GaAs)
　　封装形式：SOT-363 表面贴装
　　工作频率范围：DC 至 18 GHz
　　增益：15 dB 典型值
　　噪声系数：1.2 dB 典型值
　　输出功率 (1 dB 压缩点)：+17 dBm 典型值
　　最大耗散功率：350 mW
　　电源电压：+4 VDC 典型值
　　静态电流：75 mA 典型值
　　输入匹配：50 Ω
　　输出匹配：50 Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +105°C

特性

P4SMA200A 拥有卓越的射频性能，具体体现在以下方面：
　　1. 高增益：在宽频率范围内提供高达 15 dB 的典型增益，确保信号强度的有效提升。
　　2. 低噪声系数：仅为 1.2 dB 的典型噪声系数，使其非常适合低噪声放大器的应用场景。
　　3. 宽带操作能力：覆盖从直流到 18 GHz 的频率范围，支持多种通信标准和协议。
　　4. 稳定性：即使在极端温度条件下，也能保持性能稳定，适用于工业和军事环境。
　　5. 小尺寸封装：采用 SOT-363 表面贴装封装，节省空间且易于集成到紧凑型设计中。
　　6. 高输出功率：+17 dBm 的 1 dB 压缩点输出功率，保证了较强的驱动能力。
　　7. 易于使用：输入和输出均匹配至 50 Ω，简化了电路设计过程。

应用

P4SMA200A 主要应用于需要高性能射频放大的领域，包括：
　　1. 无线通信设备：如基站收发信机、点对点无线电和卫星通信系统。
　　2. 测试与测量仪器：例如频谱分析仪和网络分析仪。
　　3. 军事和航空航天：雷达系统、电子战设备和导航系统。
　　4. 医疗设备：超声波成像和其他高频诊断工具。
　　5. 物联网（IoT）：远距离无线传感器网络和数据采集系统。
　　由于其高增益和低噪声性能，P4SMA200A 在这些应用中表现优异，能够显著提升系统的整体性能。