时间：2025/9/6 3:11:51
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P4BAD17P1B0H2V00B 是一款由 Micron Technology 生产的 DRAM（动态随机存取存储器）模块，属于服务器和工作站应用中使用的高性能内存模块。该模块基于 DDR4 技术，具备较高的数据传输速率和稳定性，专为满足高负载计算环境下的内存需求而设计。P4BAD17P1B0H2V00B 是 ECC（错误检查与纠正）内存，支持 Registered（寄存）功能，适用于需要数据完整性和系统稳定性的场景。
容量：16GB
内存类型：DDR4
频率：2133MHz
电压：1.2V
ECC支持：是
Registered/Unbuffered：Registered
CL延迟：15
工作温度：0°C 至 85°C
P4BAD17P1B0H2V00B 模块采用了 DDR4 技术，具有低功耗、高带宽和高可靠性的特点。其 Registered（寄存）功能有助于提升系统在高内存负载下的稳定性，尤其适用于多通道内存架构的服务器平台。ECC（错误检查与纠正）功能可以检测并纠正单比特内存错误，防止数据损坏和系统崩溃，从而提高服务器和工作站的数据完整性和可靠性。
该模块的工作频率为 2133MHz，CL（CAS Latency）延迟为 15，适用于需要高速数据访问的计算环境。1.2V 的低电压设计不仅降低了功耗，还减少了发热量，有助于提升系统的能效。其工作温度范围为 0°C 至 85°C，适用于各种工业级和服务器级应用环境。
P4BAD17P1B0H2V00B 的 16GB 容量适合用于大型数据库、虚拟化平台、云计算和高性能计算（HPC）系统中，满足现代服务器对大内存容量和高稳定性的需求。
P4BAD17P1B0H2V00B 主要应用于服务器、工作站、数据中心和企业级存储设备。它特别适合用于运行虚拟化平台、数据库服务器、云计算服务和高性能计算（HPC）系统的硬件平台。由于其 ECC 和 Registered 特性，该内存模块在金融、医疗、通信和工业自动化等对数据完整性要求较高的行业中具有广泛的应用前景。
P4BAD17P1B0H2V00B 的替代型号包括：MT18KSF1G72PZ-2G1B1、P4BAD17P1B0H2V00C、P4BAD17F1B0H2V00B
