P45N02LDG 时间：2025/6/16 17:56:50 阅读：4

P45N02LDG 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用 TO-252 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于需要高电流处理能力的场合。
　　这款 MOSFET 的最大工作电压为 200V，使其能够在较高电压环境中稳定运行，同时具备良好的开关性能和热稳定性，是工业级应用中的理想选择。

参数

最大漏源电压：200V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：1.9A
　　导通电阻：1.8Ω
　　总功耗：170mW
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

P45N02LDG 具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力，能够承受高达 200V 的漏源电压，适用于高压环境。
　　2. 极低的导通电阻，仅为 1.8Ω，可显著降低功率损耗并提高系统效率。
　　3. 快速开关速度，适合高频开关应用。
　　4. 高可靠性设计，能够在恶劣的工作条件下保持稳定性能。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备需求。
　　6. 采用小型化封装 TO-252，有助于节省 PCB 空间。

应用

P45N02LDG 常用于以下应用场景：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的开关元件。
　　2. 电机驱动电路中的功率控制。
　　3. 逆变器和 UPS 系统中的关键组件。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 工业自动化设备中的电源管理和信号控制。
　　6. 高效照明系统中的驱动电路。