时间：2025/6/25 16:35:01
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P42BNL820M5ST 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）技术，具有低导通电阻和快速开关性能，非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、无线充电系统以及其他需要高效能量转换的场景。
其封装形式为符合行业标准的小型表面贴装封装，能够提供出色的散热性能和机械可靠性。
型号：P42BNL820M5ST
类型：增强型 GaN 功率晶体管
Vds（漏源极电压）：600V
Rds(on)（导通电阻）：200mΩ
Id（连续漏极电流）：8A
Qg（总栅极电荷）：50nC
Coss（输出电容）：12pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：SMD
P42BNL820M5ST 具备以下关键特性：
1. 高击穿电压 (600V)，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻 (200mΩ)，降低传导损耗，提升整体效率。
3. 快速开关能力，得益于低栅极电荷和小寄生电容，适合高频操作。
4. 宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适用于严苛环境。
5. 小型表面贴装封装，简化 PCB 布局并节省空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子制造要求。
P42BNL820M5ST 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
2. 高效 DC-DC 转换器。
3. 无线充电发射端模块。
4. 工业电机驱动和逆变器。
5. 太阳能微型逆变器及储能系统。
6. 汽车电子中的 DC-DC 转换和负载开关。
由于其高性能特点，该器件在需要高效率和高功率密度的应用中表现出色。
P42BNL820M5DT, P42BNL820M5HT
