P3500EBRP2 时间：2025/12/28 19:24:28 阅读：8

P3500EBRP2 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于高效率的功率转换和电源管理应用。该器件采用先进的技术制造，具有低导通电阻、高可靠性和优异的热性能。P3500EBRP2 特别适用于汽车电子、工业控制、开关电源（SMPS）以及电机控制等领域。该MOSFET采用TO-220封装形式，适合高电流和高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：55V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220

特性

P3500EBRP2 具有多个关键特性，使其在功率电子设计中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为3.5mΩ，在Vgs=10V的条件下，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。这对于高功率密度设计尤为重要。
　　其次，该器件具有高电流承载能力，连续漏极电流可达180A，适用于高负载的工业和汽车应用。此外，P3500EBRP2 的热阻较低，能够有效地将热量从芯片传导至外部环境，确保器件在高负载条件下仍能稳定工作。
　　在封装方面，P3500EBRP2 采用标准的TO-220封装形式，便于安装和散热管理。该封装也具备良好的机械稳定性和热稳定性，适合在严苛环境下使用。
　　安全性方面，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发的电压尖峰或反向电动势情况下提供额外的保护。此外，其栅极氧化层具备高耐压能力，允许栅源电压达到±20V，提升了器件的可靠性与抗干扰能力。
　　最后，P3500EBRP2 的设计符合AEC-Q101汽车级标准，适用于各种汽车电子系统，如电动助力转向、电池管理系统（BMS）、车载充电器等。

应用

P3500EBRP2 主要应用于高功率密度的电力电子系统中。常见的应用包括汽车电子中的电动机控制、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）和车载充电器等。其高电流能力和低导通电阻也使其非常适合用于工业电机驱动、伺服系统、开关电源（SMPS）以及光伏逆变器等设备。
　　在消费电子领域，该器件可用于高性能电源模块、大功率LED驱动电路和快速充电设备中。此外，由于其良好的热性能和可靠性，P3500EBRP2 也广泛应用于需要长时间连续运行的工业自动化控制系统和不间断电源（UPS）系统中。
　　对于设计工程师而言，选择P3500EBRP2 可以有效提升系统的效率和稳定性，同时减少散热器的尺寸和成本，有助于实现更紧凑的设计方案。